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VO2合金半导体薄膜及制备方法和应用

1112   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-18 15:11:01
本发明提供了合金半导体薄膜及制备方法和应用，该合金半导体薄膜的化学式为HfxWyV1‑x‑yO2，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，本发明的合金半导体薄膜，利用HfO2的带隙(5.5eV)大于VO2的带隙(2.6eV)，使用Hf4+离子部分取代V4+离子，来提高VO2的光学带隙有效地提升薄膜的可见光透过率。同时，W离子为+6价，在VO2中掺入W6+离子相当于引入了载流子，载流子引入越多，越容易驱动电子相变的发生，因此降低了相变温度，选择Hf4+离子和W6+离子部分取代V4+离子制备了HfxWyV1‑x‑yO2合金体系从而实现了VO2的高可见光透过率和对其相变温度的调节。
声明：
“VO2合金半导体薄膜及制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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