本发明提供了合金半导体薄膜及制备方法和应用,该合金半导体薄膜的化学式为Hf
xW
yV
1‑x‑yO
2,其中,0<x<1,0<y<1,本发明的合金半导体薄膜,利用HfO
2的带隙(5.5eV)大于VO
2的带隙(2.6eV),使用Hf
4+离子部分取代V
4+离子,来提高VO
2的光学带隙有效地提升薄膜的可见光透过率。同时,W离子为+6价,在VO
2中掺入W
6+离子相当于引入了载流子,载流子引入越多,越容易驱动电子相变的发生,因此降低了相变温度,选择Hf
4+离子和W
6+离子部分取代V
4+离子制备了Hf
xW
yV
1‑x‑yO
2合金体系从而实现了VO
2的高可见光透过率和对其相变温度的调节。
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“VO2合金半导体薄膜及制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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