本发明属于电子
功能材料与器件领域,具体涉及一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法。本发明的钛酸铋钠基薄膜由基片、底电极、铁电薄膜层和顶电极组成,所述薄膜的组成通式为Na
0.5×aBi
0.5×b(Ti
1‑x‑yW
xFe
y)O
3,其中,1.01≤a≤1.02,1.01≤b≤1.04,0.01≤x≤0.02,0.01≤y≤0.02。在143 ℃附近,正绝热温变和等温熵变的峰值为目前报导中最大值:∆
T~55 K,∆
S~64 J K
‑1 kg
‑1;在同一制冷循环内,54 ℃附近,负绝热温变和等温熵变的峰值为:∆
T~‑17 K,∆
S~‑26 J K
‑1 kg
‑1。通过化学溶液法制备的该钛酸铋钠基薄膜具有电卡性能优异、环境友好、工艺简单以及成本低等优点,在
芯片制冷、传感器及电子器件等温度控制领域具有广泛的应用前景。
声明:
“兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)