本申请公开了一种
多晶硅全熔铸锭工艺,属于
光伏技术领域。该工艺包括下述步骤:1)装料阶段:将硅料装填入坩埚,转移坩埚至铸锭炉;2)加热、熔化阶段:关闭隔热笼,在真空条件下加热、熔化硅料,在熔化阶段的坩埚内部达到预设温度后调整隔热笼的开度;3)长晶阶段:调整隔热笼的开度为全部开度的30%‑70%,长晶温度为1410‑1460℃;4)液态硅长晶结束后,退火、冷却,即制得多晶硅锭。该工艺制备的多晶硅的良率高,对晶硅少子的寿命长,多晶硅底部红区的短;工艺周期短,生产效率高;喷涂氮化硅的坩埚不与多晶硅铸锭粘锅;坩埚表面的喷涂的氮化硅为疏松粗糙表面,具有石英砂形核、缝隙形核和氮化硅形核,多种引晶并存,周期短良率高。
声明:
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我是此专利(论文)的发明人(作者)