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硅基半导体PN结结构及其制备方法、光电阴极和应用

1281   编辑:管理员   来源:中冶有色网  
2023-03-18 15:02:22
本发明属于半导体电极技术领域,公开了一种硅基半导体PN结结构及其制备方法、光电阴极和应用,p型硅基底表面沉积有TiO2纳米结晶层,TiO2纳米结晶层通过还原处理后与p型硅基底形成肖特基接触,得到p型硅‑二氧化钛异质结结构;其结晶性TiO2纳米层上负载Pt助剂构成硅基半导体PN结光电阴极,该光电阴极应用于光电化学池光解水制氢中。本发明的硅基半导体PN结结构能产生较高的光生电压,且具有较高的稳定性,同时制备方法简单易行,可控性强,可实现大规模生产;本发明的硅基半导体PN结光电阴极利用n型TiO2纳米结晶层成功促进了光生载流子的分离,提升了硅基光阴极的起始电位,同时也对p型硅基底起到了保护作用。
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“硅基半导体PN结结构及其制备方法、光电阴极和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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