本发明涉及一种以高纯二氧化硅和氢气为原料制备
多晶硅的方法,属于非金属矿深加工技术领域。以高纯H
2为还原剂、以高纯SiO
2为硅源,先在高温1250‑1300℃下通入H
2,使SiO
2被还原成SiO,O与H
2反应生成H
2O;然后再升温到1350℃通入H
2,把温度控制在1350‑1400℃之间。此时SiO被H
2还原成高纯Si,SiO中的O与H
2发生氧化还原反应后生成H
2O,整个制备过程对环境无任何污染。
声明:
“以二氧化硅和氢气为原料制备多晶硅的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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