基于3D成型技术制备多孔SiC陶瓷的方法,本发明涉及基于3D成型技术制备多孔SiC陶瓷的方法。本发明的目的是为了解决目前选择性激光烧结技术制备多孔SiC陶瓷时,成型件孔隙率低的问题。本发明方法为:绘制多孔SiC陶瓷的三维模型、设定SLS成型机的参数、混合SiC粉末、粘结剂粉末和造孔剂、制得陶瓷坯体、进行CIP包套然后冷等静压致密化处理,进行脱脂预烧结,再在有氧环境下进行烧结,即完成。操作简便,成型速度快,原料利用率高,有效地提高多孔SiC陶瓷的孔隙率,最终成型件的孔隙率为70%~80%,且具备一定的强度。本发明应用于多孔SiC陶瓷的制备领域。
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