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高迁移率异质结互补场效应晶体管及其方法

742   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:45:02
公开了一种高性能场效应器件的结构和制备方法。该MOS结构包括一种导电类型的晶体Si本体,外延地生长在Si本体上作为空穴的埋置沟道的应变的SiGe层,外延地生长在SiGe层作为用于电子的表面沟道的Si层,源和漏,包括外延淀积并具有与Si本体相反的导电极性的应变的SiGe。SiGe源和漏与Si本体形成了异质结和冶金结,其中异质结和冶金结以小于约10nm,优选小于约5nm的公差重合。异质结源/漏为减少短沟道效应的手段。由于增加了压缩应变的SiGe沟道,这些结构对PMOS特别有利。代表性的实施例包括块材和SOI上的CMOS结构。
声明:
“高迁移率异质结互补场效应晶体管及其方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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