权利要求
S1、采用磁控溅射在透明玻璃上镀FTO薄膜，形成透明导电玻璃，FTO薄膜作为FTO电极;
S2、采用激光刻划，将透明导电玻璃分成若干子单元，刻透FTO电极后，将基板(14)进行超声波清洁;
S3、采用磁控溅射沉积NiO，形成空穴传输层;
S4、在PVD腔室中通过蒸镀设备依次完成预制层共蒸发、一次退火、FAI或MAI蒸发、二次退火，形成钙钛矿吸收层;
S5、于钙钛矿吸收层上通过热蒸发沉积电子传输层，依次沉积C60或PCBM、BCP或氧化
锡;
S6、激光刻划至FTO电极上表面，采用磁控溅射沉积Cu电极材料，形成金属电极层;
2.如权利要求1所述的制备钙钛矿太阳能电池组件的方法，其特征在于，在S3中NiO沉积时长为6min~8min，沉积厚度15nm~20nm。
3.如权利要求1所述的制备钙钛矿太阳能电池组件的方法，其特征在于，在S4中，形成的钙钛矿吸收层为MAPbI3或FAPbI3材料，晶粒尺寸为1μm~2μm。
4.如权利要求1所述的制备钙钛矿太阳能电池组件的方法，其特征在于，在S4中，预制层共蒸发具体为：共蒸发PbI2、CsBr、PbCl2，其中PbI2厚度180nm~230nm、沉积速率8nm/min~12nm/min，CsBr厚度30nm~50nm、沉积速率1.5nm/min~2.5nm/min，PbCl2厚度10nm~20nm、沉积速率0.6nm/min~0.7nm/min，蒸发时长均为20min~22min。
5.如权利要求1所述的制备钙钛矿太阳能电池组件的方法，其特征在于，在S4中，一次退火条件为150℃下保温30min，FAI或MAI蒸发厚度为150nm~200nm、蒸发温度100℃~150℃、沉积速率8nm/min~10nm/min、时长13min~16min，二次退火条件为120℃下保温30min。
6.如权利要求1所述的制备钙钛矿太阳能电池组件的方法，其特征在于，在S5中，C60或PCBM的沉积厚度10nm~25nm，沉积速率为4nm/min~5nm/min、沉积时长5min~6min，BCP或氧化锡沉积厚度5nm~10nm，沉积速率为2nm/min~3nm/min、沉积时长5min~6min。
7.如权利要求1所述的制备钙钛矿太阳能电池组件的方法，其特征在于，在S6中，激光刻划深度为580nm~620nm。
8.一种制备钙钛矿太阳能电池组件的设备，适用于如权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，包括腔体组件，所述腔体组件用于提供电池在不同制备步骤下的制备环境;
所述腔体组件包括若干依次连通的腔体，所述腔体可选择地设置有抽气系统(9)、第一进气系统(10)、第二进气系统(12)、氧化
镍靶材(13)、CsBr蒸发源(16)、PbCl2蒸发源(17)、PbI2蒸发源(18)、FAI或MAI蒸发源(22)，C60蒸发源(23)、BCP蒸发源(24)、激光刻划器(26)、ITO靶材(27)、Cu靶材(28);
各腔体均配有传送滚轮(15)、位置
传感器(19)。
9.如权利要求8所述的制备钙钛矿太阳能电池组件的设备，其特征在于，所述氧化镍靶材(13)的溅射功率为0.8kw~1.3kw，沉积速率为2nm/min-3nm/min。
10.如权利要求8所述的制备钙钛矿太阳能电池组件的设备，其特征在于，所述Cu靶材(28)的溅射功率为1kw，沉积速率为6nm/min~8nm/min。
说明书
技术领域
[0001]本发明涉及电池生产技术领域，具体而言，涉及一种制备钙钛矿太阳能电池组件的方法及设备。
背景技术
[0002]钙钛矿太阳能电池以ABX3型钙钛矿材料为核心，具有制造工艺简便、成本低、转化效率高等优点，是新一代薄膜太阳能电池的研究热点。其典型结构包括钠钙玻璃/透明导电层/空穴传输层/钙钛矿层/电子传输层/金属电极层。
[0003]目前
钙钛矿电池主要采用湿法制备工艺，在钙钛矿膜层制备时需先配液再涂布。该工艺存在明显缺陷，主要为：使用的化学试剂对人体伤害大，制备的膜层缺陷较多，且难以适应工业化大规模生产需求。
发明内容
[0004]本发明提供一种制备钙钛矿太阳能电池组件的方法及设备，可以解决现有技术中湿法制备工艺所使用的化学试剂对人体伤害大、制备的膜层缺陷较多，且难以适应工业化大规模生产需求的问题。
[0005]一种制备钙钛矿太阳能电池组件的方法，包括：
S1、采用磁控溅射在透明玻璃上镀FTO薄膜，形成透明导电玻璃，FTO薄膜作为FTO电极;
S2、采用激光刻划，将透明导电玻璃分成若干子单元，刻透FTO电极后，将基板进行超声波清洁;
S3、采用磁控溅射沉积NiO，形成空穴传输层;
S4、在PVD腔室中通过蒸镀设备依次完成预制层共蒸发、一次退火、FAI或MAI蒸发、二次退火，形成钙钛矿吸收层;
S5、于钙钛矿吸收层上通过热蒸发沉积电子传输层，依次沉积C60或PCBM、BCP或氧化锡;
S6、激光刻划至FTO电极上表面，采用磁控溅射沉积Cu电极材料，形成金属电极层;
S7、激光刻划至FTO电极上表面，清边后进行封装，形成钙钛矿太阳能电池组件。
[0006]本发明提供的一种制备钙钛矿太阳能电池组件的方法，相较于现有技术，具有但不局限于以下有益效果：
该方法通过溅射法沉积空穴传输层，然后在多个PVD腔室内沉积含有钙钛矿材料的预制层，对预制层进行退火处理，形成具有正八面体结构的ABX3化合物，最终形成钙钛矿吸收层，然后通过热蒸发在吸收层上沉积电子传输层，再经过激光刻划将电池分为若干子电池，最后通过蒸发沉积前电极形成钙钛矿电池，再对电池进行封装，形成钙钛矿电池组件。该方法所有材料均通过热蒸发和溅射沉积，不需要配液和涂布设备，这种纯干法的工艺方法可以有效降低了设备投资成本，制备出的膜层更加均匀和致密，缺陷程度更小，更适合大面积产业化生产。
[0007]本发明不需要长时间高温处理，可节约大量能源，同时对表面平整状况的兼容度更强，能够更好的应用在晶硅叠层电池上，而且本方法为物理法，工艺稳定，过程可控无污染，提高了对操作人员的安全性。
[0008]进一步地，在S3中NiO沉积时长为6min~8min，沉积厚度15nm~20nm。
[0009]进一步地，在S4中，形成的钙钛矿吸收层为MAPbI3或FAPbI3材料，晶粒尺寸为1μm~2μm。
[0010]进一步地，在S4中，预制层共蒸发具体为：共蒸发PbI2、CsBr、PbCl2，其中PbI2厚度180nm~230nm、沉积速率8nm/min~12nm/min，CsBr厚度30nm~50nm、沉积速率1.5nm/min~2.5nm/min，PbCl2厚度10nm~20nm、沉积速率0.6nm/min~0.7nm/min，蒸发时长均为20min~22min。
[0011]进一步地，在S4中，一次退火条件为150℃下保温30min，FAI或MAI蒸发厚度为150nm~200nm、蒸发温度100℃~150℃、沉积速率8nm/min~10nm/min、时长13min~16min，二次退火条件为120℃下保温30min。
[0012]进一步地，在S5中，C60或PCBM沉积厚度10nm~25nm，沉积速率为4nm/min~5nm/min、沉积时长5min~6min，BCP或氧化锡沉积厚度5nm~10nm，沉积速率为2nm/min~3nm/min、沉积时长5min~6min。
[0013]进一步地，在S6中，激光刻划深度为580nm~620nm。
[0014]一种制备钙钛矿太阳能电池组件的设备，适用于前所述的方法，包括腔体组件，所述腔体组件用于提供电池在不同制备步骤下的制备环境;
所述腔体组件包括若干依次连通的腔体，所述腔体可选择地设置有抽气系统、第一进气系统、第二进气系统、氧化镍靶材、CsBr蒸发源、PbCl2蒸发源、PbI2蒸发源、FAI或MAI蒸发源，C60蒸发源、BCP蒸发源、激光刻划器、ITO靶材、Cu靶材;
各腔体均配有传送滚轮、位置传感器。
[0015]由于所述制备钙钛矿太阳能电池组件的设备的技术改进和有益效果至少与所述方法一样，因此此处不再对所述制备钙钛矿太阳能电池组件的设备进行赘述。
[0016]进一步地，所述氧化镍靶材的溅射功率为0.8kw~1.3kw，沉积速率为2nm/min-3nm/min。
[0017]进一步地，所述Cu靶材的溅射功率为1kw，沉积速率为6nm/min~8nm/min。
附图说明
[0018]图1为本发明一种制备钙钛矿太阳能电池组件的方法的流程图;
图2为本发明一种制备钙钛矿太阳能电池组件的设备的结构示意图;
图3为本发明中钙钛矿太阳能电池组件的结构示意图。
[0019]附图标记说明：
1、第一溅射腔体;2、第一蒸发腔体;3、第一退火腔体;4、第二蒸发腔体;5、第二退火腔体;6、第三蒸发腔体;7、激光刻划室;8、第二溅射腔体;9、抽气系统;10、第一进气系统;11、腔室阀门;12、第二进气系统;13、氧化镍靶材;14、基板;15、传送滚轮;16、CsBr蒸发源;17、PbCl2蒸发源;18、PbI2蒸发源;19、位置传感器;20、温度控制系统;21、蒸发膜厚测试仪;22、FAI或MAI蒸发源;23、C60蒸发源;24、BCP蒸发源;25、激光定位相机;26、激光刻划器;27、ITO靶材;28、Cu靶材;29、蒸发源加热丝;30、腔体加热电阻丝。
具体实施方式
[0020]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合显示出根据本申请的多个实施方式的附图，对本申请实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，应当可以理解的是，所描述的实施方式仅是本申请的一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中记载的实施方式，本领域普通技术人员在不用花费创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施方式，都将属于本申请保护的范围。
[0021]除非另有定义，本申请所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同;本申请中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请;本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”、“包含”、“有”、“具有”、“含有”、“含”等为开放式的用词。因此，“包括”、“包含”、“有”例如一个或多个步骤或元件的一种方法或装置，其具有一个或多个步骤或元件，但不限于仅具有这一个或多个元件。本申请的说明书和权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序或主次关系。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0022]在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
[0023]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“附接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接;可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语 在本申请中的具体含义。
[0024]应当强调，当在本说明书中使用术语“包括/包含”时，用于明确表明表示所述特征、整数、步骤或组件的存在，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、部件或成组的特征、整数、步骤、部件。
[0025]本申请中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本申请中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0026]参见图3，钙钛矿太阳能电池是由通用化学式为ABX3的钙钛矿材料构成的薄膜太阳能电池，其中A通常代表有机阳离子(例如CH3NH3+)，B代表金属阳离子(例如Pb2+)，X则代表卤素阴离子(例如I-)。钙钛矿太阳能电池的结构主要由钠钙玻璃/透明导电层/空穴传输层/钙钛矿层/电子传输层/金属电极层构成。
[0027]参见图1，本发明实施例提供的一种制备钙钛矿太阳能电池组件的方法，包括：
S1、采用磁控溅射在透明玻璃上镀FTO薄膜，形成透明导电玻璃，FTO薄膜作为FTO电极，FTO薄膜的厚度为550-650nm。
[0028]S2、采用激光刻划P1，将透明导电玻璃分成若干子单元，刻透FTO电极后，将基板14进行超声波清洁，去除表面污垢。
[0029]S3、采用磁控溅射沉积NiO，形成空穴传输层。
[0030]NiO沉积时长为6min~8min，沉积厚度15nm~20nm。
[0031]S4、在PVD腔室中通过蒸镀设备依次完成预制层共蒸发、一次退火、FAI或MAI蒸发、二次退火，形成钙钛矿吸收层。
[0032]其中，形成的钙钛矿吸收层为MAPbI3或FAPbI3材料，晶粒尺寸为1μm~2μm。
[0033]具体而言，开启蒸镀设备，对各蒸发源进行预热，然后将基板14送入用于蒸发的腔体，第一步先共蒸发PbI2、CsBr和PbCl2三种物质。第二步进入一次退火工序，在150℃下保温30min，实现退火。一次退火完成以后执行第三步，在另一用于蒸发的腔体中蒸发沉积150nm~200nm厚的FAI或MAI，进入二次退火工序，在120℃下保温30min，实现退火，最终完成钙钛矿吸收层的制备。
[0034]预制层共蒸发具体为：共蒸发PbI2、CsBr、PbCl2，其中PbI2厚度180nm~230nm、沉积速率8nm/min~12nm/min，CsBr厚度30nm~50nm、沉积速率1.5nm/min~2.5nm/min，PbCl2厚度10nm~20nm、沉积速率0.6nm/min~0.7nm/min，蒸发时长均为20min~22min。
[0035]在第三步中，FAI或MAI蒸发厚度为150nm~200nm、蒸发温度100℃~150℃、沉积速率8nm/min~10nm/min、时长13min~16min。
[0036]S5、于钙钛矿吸收层上通过热蒸发沉积电子传输层，依次沉积C60或PCBM、BCP或氧化锡。
[0037]C60或PCBM沉积厚度10nm~25nm，沉积速率为4nm/min~5nm/min、沉积时长5min~6min，BCP或氧化锡沉积厚度5nm~10nm，沉积速率为2nm/min~3nm/min、沉积时长5min~6min。
[0038]S6、对S5中沉积后的基片进行激光刻划，激光刻划P2至FTO电极上表面，采用磁控溅射沉积厚度20nm~40nm的Cu电极材料，形成金属电极层。
[0039]激光刻划P2的深度为580nm~620nm，具体根据实际情况进行判断，刻划至FTO电极上表面即可。
[0040]S7、再一次激光刻划，激光刻划P3至FTO电极上表面，清边后进行封装，形成钙钛矿太阳能电池组件。
[0041]本实施例中，该方法通过溅射法沉积空穴传输层，然后在多个PVD腔室内沉积含有钙钛矿材料的预制层，对预制层进行退火处理，形成具有正八面体结构的ABX3化合物，最终形成钙钛矿吸收层，然后通过热蒸发在吸收层上沉积电子传输层，再经过激光刻划将电池分为若干子电池，最后通过蒸发沉积前电极形成钙钛矿电池，再对电池进行封装，形成钙钛矿电池组件。该方法所有材料均通过热蒸发和溅射沉积，不需要配液和涂布设备，这种纯干法的工艺方法可以有效降低了设备投资成本，制备出的膜层更加均匀和致密，缺陷程度更小，更适合大面积产业化生产。
[0042]本发明不需要长时间高温处理，可节约大量能源，同时对表面平整状况的兼容度更强，能够更好的应用在晶硅叠层电池上，而且本方法为物理法，工艺稳定，过程可控无污染，提高了对操作人员的安全性。
[0043]具体而言，该方法通过在PVD腔室内沉积含有钙钛矿前驱材料的预制层，形成致密无机框架，再将基底暴露于MAI或FAI蒸气中(100℃~150℃)，使有机组分渗透并与无机层反应生成钙钛矿(MAPbI3或FAPbI3)材料。制得的晶粒尺寸较大，晶粒尺寸为1μm~2μm，缺陷密度低，可以显著提升电池功率。与传统晶硅电池相比，此方法制成的钙钛矿太阳能电池具有生产成本低、工艺流程简单、应用场景灵活的优势。
[0044]该方法无需配液和涂液，属于纯干法的工艺方法，操作过程安全无污染，对操作人员完全无害，对车间温湿度容忍度高，而且干法镀膜对表面平整状况的兼容度更强，因此能够更好的应用在晶硅叠层电池上，可以较好的推动钙钛矿电池工业化生产进程。
[0045]纯干法制备的各膜层在均匀性、致密性、缺陷程度等方面表现更佳，同时连续快速的钙钛矿电池制备方法可以应运到大规模、大尺寸和连续化的生产中，而不仅仅是停留在实验室阶段。
[0046]该方法还可以配合PID系统，可以对钙钛矿电池各层的厚度、材料和性能实时优化，不断提升每一个功能层的性能，进而提升钙钛矿太阳能电池的各项性能。
[0047]参见图2，本发明实施例提供的一种制备钙钛矿太阳能电池组件的设备，该设备为多腔体PVD蒸镀设备，适用于如前所述的方法，包括腔体组件，腔体组件用于提供电池在不同制备步骤下的制备环境。
[0048]腔体组件包括若干依次连通的腔体，腔体可选择地设置有抽气系统9、第一进气系统10、第二进气系统12、氧化镍靶材13、CsBr蒸发源16、PbCl2蒸发源17、PbI2蒸发源18、FAI或MAI蒸发源22，C60蒸发源23、BCP蒸发源24、激光刻划器26、ITO靶材27、Cu靶材28。
[0049]各腔体均配有传送滚轮15、位置传感器19。
[0050]本实施例中，腔体组件包括沿基板14传送方向依次连通的第一溅射腔体1、第一蒸发腔体2、第一退火腔体3、第二蒸发腔体4、第二退火腔体5、第三蒸发腔体6、激光刻划室7、第二溅射腔体8。
[0051]其中，各腔体之间均设置腔室阀门11，且头部腔体与尾部腔体的端部均设置腔室阀门11。第一溅射腔体1连接抽气系统9、第二进气系统12，且第一溅射腔体1内部设有氧化镍靶材13，氧化镍靶材13的溅射功率为0.8kw~1.3kw、沉积速率为2nm/min-3nm/min，Cu靶材28的溅射功率为1kw、沉积速率为6nm/min~8nm/min。第一蒸发腔体2连接CsBr蒸发源16、PbCl2蒸发源17、PbI2蒸发源18。第一退火腔体3内设置温度控制系统20与腔体加热电阻丝30。第二蒸发腔体4连接FAI或MAI蒸发源22。第二退火腔体5内设置温度控制系统20与腔体加热电阻丝30。第三蒸发腔体6连接C60蒸发源23、BCP蒸发源24。激光刻划室7内设有激光定位相机25、激光刻划器26。第二溅射腔体8连接第一进气系统10，且第二溅射腔体8内设有ITO靶材27、Cu靶材28。
[0052]需要说明的是，第一蒸发腔体2、第二蒸发腔体4、第三蒸发腔体6内均设有蒸发膜厚测试仪21，且这些腔体所连接的蒸发源与腔体的结合部均绕设有蒸发源加热丝29。
[0053]由于所述制备钙钛矿太阳能电池组件的设备的技术改进和有益效果至少与所述方法一样，因此此处不再对所述制备钙钛矿太阳能电池组件的设备进行赘述。
[0054]参见图2-图3，本实施例中，采用上述设备和方法制备钙钛矿太阳能电池组件的步骤如下：
S1、清洗透明导电玻璃，即基板14。先打开第一进气系统10，往腔体内冲入氮气，再通过抽气系统9将氮气抽走，通过多次充放气，完成对所有腔体的清扫。然后关闭第一进气系统10，打开抽气系统9对所有腔体进行抽真空，真空度要求达到2.010-6mbar。
[0055]S2、开启腔体加热电阻丝30，同时，温度控制系统20开始工作，确保第一退火腔体3与第二退火腔体5内的温度达到工艺要求。再打开传送滚轮15，按照预定传送速度转动。
[0056]S3、开启CsBr蒸发源16、PbCl2蒸发源17、PbI2蒸发源18、FAI或MAI蒸发源22、C60蒸发源23以及BCP蒸发源24、确保达到各材料蒸发预定温度。
[0057]打开第一溅射腔体1中的第二进气系统12，充入氩氧混合气(氩气：氧气=260sccm：1sccm)，第一溅射腔体1和第二溅射腔体8的工艺真空度均保持在3.010-3mbar，开启第一溅射腔体1内氧化镍靶材13，氧化镍靶功率为0.8kw~1.3kw，沉积速率为2nm/min~3nm/min，时长6min~8min，基板14在腔体内完成氧化镍膜层镀膜，形成空穴传输层。
[0058]S4、打开第一溅射腔体1与第一蒸发腔体2之间的腔室阀门11，基板14进入第一蒸发腔体2，开启第一蒸发腔体2内的蒸发膜厚测试仪21，可随时监控各材料膜厚变化，然后开启CsBr蒸发源16、PbCl2蒸发源17、PbI2蒸发源18，共蒸发沉积CsBr、PbCl2和PbI2。CsBr沉积速率为1.5nm/min~2.5nm/min，时长20min~22min;PbCl2沉积速率为0.6nm/min~0.7nm/min，时长18min~22min;PbI2沉积速率为8nm/min~12nm/min，时长20min~22min;完成以上三种材料蒸发以后形成致密无机框架。
[0059]随后开启第一蒸发腔体2与第一退火腔体3之间的腔室阀门11，基板14进入第一退火腔体3，打开温度控制系统20，退火温度保持在150℃，退火时间30min。
[0060]S5、开启第一退火腔体3与第二蒸发腔体4之间的腔室阀门11，基板14进入第二蒸发腔体4，将基板14暴露于MAI蒸气中(100℃~150℃)，使有机组分渗透并与无机层反应生成MAPbI3钙钛矿吸收层，蒸发速率为8nm/min~10nm/min，时长13min~16min。
[0061]再开启第二蒸发腔体4与第二退火腔体5之间的腔室阀门11，基板14进入第二退火腔体5，退火温度保持在120℃，退火时间30min，对薄膜进行二次退火，进一步优化其结晶性，使缺陷密度更低。
[0062]S6、开启第二退火腔体5与第三蒸发腔体6之间的腔室阀门11，基板14传入第三蒸发腔体6，蒸发沉积电子传输层C60和BCP，C60沉积速率为4nm/min~5nm/min，时长5min~6min，BCP沉积速率为2nm/min~3nm/min，时长5min~6min。进而完成电子传输层的制备。
[0063]S7、开启第三蒸发腔体6与激光刻划室7之间的腔室阀门11，基板14进入激光刻划室7，打开激光定位相机25、激光刻划器26、对基板14进行激光刻划P2，刻划至FTO上表面，深度为580nm~620nm。
[0064]S8、开启激光刻划室7与第二溅射腔体8之间的腔室阀门11，将基板14送入第二溅射腔体8，充入氩氧混合气(氩气：氧气=300sccm：5sccm)开启ITO靶材27，沉积ITO导电膜，沉积速率为2nm/min~3nm/min，时长10min~15min。然后关闭ITO靶材，充入300sccm氩气，打开Cu靶材28，Cu靶材28以功率1kw溅射5min~6min，沉积Cu电极，沉积速率为6nm/min~8nm/min。
[0065]S9、进行激光刻划P3，刻划深度至FTO上表面，然后进行P4清边，最后进行封装，形成钙钛矿太阳能电池组件。
[0066]在其他一些实施例中，采用上述设备和方法制备钙钛矿太阳能电池组件的步骤中的S5中，第二蒸发腔体4内蒸发的是FAI，最终生成FAPbI3钙钛矿吸收层，其余工艺参数及步骤均与本实施例一致。
[0067]以上公开的仅为本发明的几个具体实施例，但是，本发明实施例并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本发明的保护范围。
说明书附图(3)
声明：
“制备钙钛矿太阳能电池组件的方法及设备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：北方有色网
来源：凯盛光伏材料有限公司
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