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金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件

183 编辑：北方有色网来源：粤芯半导体技术股份有限公司

2026-01-19 16:05:22

权利要求 1.一种金属互连方法，其特征在于，包括：在第一金属层上沉积第一介质层，其中，所述第一介质层的沉积在非富氧环境进行; 在所述第一介质层上沉积第二介质层，其中，所述第二介质层的蚀刻速率高于所述第一介质层的蚀刻速率; 对所述第一金属层、所述第一介质层和所述第二介质层进行炉管退火以及蚀刻处理; 在炉管退火以及蚀刻处理后的所述第一金属层、所述第一介质层和所述第二介质层上沉积第二金属层，其中，所述第二金属层与所述第一金属层互连。 2.根据权利要求1所述的金属互连方法，其特征在于，所述第一金属层包括铬硅金属层、氮化钽金属层、镍铬合金金属层和氮化钛金属层中的一种或多种的组合。 3.根据权利要求1所述的金属互连方法，其特征在于，所述第一介质层为氮化硅介质层。 4.根据权利要求1所述的金属互连方法，其特征在于，所述第二金属层为氮化钛金属层，或氮化钛与预设金属形成的组合金属层。 5.根据权利要求4所述的金属互连方法，其特征在于，所述预设金属包括钛金属、铝金属以及钨金属中的一种或多种的组合。 6.根据权利要求1所述的金属互连方法，其特征在于，所述第二介质层为氮氧化硅层。 7.根据权利要求1所述的金属互连方法，其特征在于，在所述在炉管退火以及蚀刻处理后的所述第一金属层和所述第一介质层上沉积第二金属层之前，还包括：通过溅射工艺对所述炉管退火以及蚀刻处理后的所述第一金属层进行蚀刻副产物去除操作。 8.根据权利要求1所述的金属互连方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度为120埃米~200埃米，所述第二介质层的厚度为120埃米~200埃米。 9.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的金属互连方法。 10.一种半导体器件，其特征在于，使用如权利要求9所述的半导体器件制备方法制备得到。说明书技术领域 [0001]本申请实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件。背景技术 [0002]随着科技的发展，人们对于器件提出了越来越高的要求，器件的

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