权利要求
1.一种调控铜基薄膜太阳电池异质结界面碱金属分布的方法，其特征在于，包括以下步骤：在背电极上沉积锂掺杂的铜锌锡硫前驱体薄膜;通过高温硒化退火制备锂掺杂的P型铜锌锡硫硒薄膜，其中，通过硒化退火过程促使玻璃衬底中的碱金属元素向铜锌锡硫硒薄膜扩散并实现掺杂;在铜锌锡硫硒薄膜上沉积缓冲层;在缓冲层表面通过低温沉积窗口层和透明导电层，其中，通过低温退火处理驱动碱金属元素向异质结界面扩散。
2.如权利要求1所述的一种调控铜基薄膜太阳电池异质结界面碱金属分布的方法，其特征在于，所述在背电极上沉积锂掺杂的铜锌锡硫前驱体薄膜包括：将醋酸铜、二水合氯化亚锡、氯化锌、硫脲、氯化锂以及氯化银;按顺序依次溶解于N,N-二甲基甲酰胺中，制备前驱体溶液，其中，前驱体溶液中的金属元素摩尔比满足：Cu/(Zn+Sn)=0.6-0.75，Zn/Sn=1.0-1.5，Cu+Sn+Zn/S=1-0.9，Li/(Li+Cu)=0.01-0.20，Ag/Ag+Cu=0.05～0.15。
3.如权利要求1或2任一项所述的一种调控铜基薄膜太阳电池异质结界面碱金属分布的方法，其特征在于，所述通过高温硒化退火制备锂掺杂的P型铜锌锡硫硒薄膜，包括：硒化退火温度为540-560摄氏度，退火时间为12-15分钟。
4.如权利要求3所述的一种调控铜基薄膜太阳电池异质结界面碱金属分布的方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度大小为20-50纳米。
5.如权利要求3所述的一种调控铜基薄膜太阳电池异质结界面碱金属分布的方法，其特征在于，所述在缓冲层表面通过低温沉积窗口层和透明导电层，其中，通过低温退火处理驱动碱金属元素向异质结界面扩散，包括：退火温度大小为80-150摄氏度。
6.如权利要求5所述的一种调控铜基薄膜太阳电池异质结界面碱金属分布的方法，其特征在于，所述在缓冲层表面通过低温沉积窗口层和透明导电层，其中，通过低温退火处理驱动碱金属元素向异质结界面扩散，包括：退火时间大小为1.5-3小时。
7.如权利要求3所述的一种调控铜基薄膜太阳电池异质结界面碱金属分布的方法，其特征在于，所述在缓冲层表面通过低温沉积窗口层和透明导电层，包括：所述窗口层为本征氧化锌层;所述透明导电层为掺铝氧化锌层。
8.如权利要求7所述的一
声明：
“调控铜基薄膜太阳电池异质结界面碱金属分布的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：南开大学
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2025年09月25日 ~ 27日 
