权利要求
1.一种高性能烧结钐钴永磁体的双梯度时效处理方法,其特征在于,所述双梯度时效处理方法包括如下步骤:
(1)前梯度时效:钐钴生坯升温至T1后保温处理,然后升温至T2后保温处理,再升温至T3后保温处理;
(2)等温时效:将在T3保温处理后的钐钴生坯升温至T4后保温处理;
(3)后梯度时效:将在T4保温处理后的钐钴生坯降温至T5后保温处理,然后降温至T6后保温处理,再降温至T7后保温处理,再降温至T8后保温处理,最后冷却至室温;
其中,T1为200~300℃,T2=T1+200℃~T1+300℃,T3=T2+150℃~T1+250℃,T4为790~870℃,且T3T8。
2.根据权利要求1所述的双梯度时效处理方法,其特征在于,具有如下特征中的至少一个:
(1)T2为450~550℃;
(2)T3为650~750℃。
3.根据权利要求1所述的双梯度时效处理方法,其特征在于,具有如下特征中的至少一个:
(1)所述升温至T1后保温处理中,保温时间t1为0.5-3h;
(2)所述升温至T2后保温处理中,保温时间t2为0.5-3h;
(3)所述升温至T3后保温处理中,保温时间t3为0.5-3h;
(4)所述升温至T4后保温处理中,保温时间t4为5-24h;
(5)所述降温至T5后保温处理中,保温时间t5为1-3h;
(6)所述降温至T6后保温处理中,保温时间t6为1-3h;
(7)所述降温至T7后保温处理中,保温时间t7为1-3h;
(8)所述降温至T8后保温处理中,保温时间t8为1-3h。
4.根据权利要求3所述的双梯度时效处理方法,其特征在于,所述保温时间t1和/或t2和/或t3为0.5-1h;和/或,所述保温时间t4为6-15h。
5.根据权利要求3所述的双梯度时效处理方法,其特征在于,所述保温时间t5为1-1.3h;和/或,所述保温时间t6为1-1.5h;和/或,所述保温时间t7为1-2h;和/或,所述保温时间t8为1-1.5h。
6.根据权利要求1所述的双梯度时效处理方法,其特征在于,
声明:
“高性能烧结钐钴永磁体的双梯度时效处理方法及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)