氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺

权利要求

1.一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，其特征在于：包括以下步骤：

S1、混合氮化铝粉末与纳米增强剂，使用高精度混合设备确保均匀分散，以形成混合浆料;

S2、采用流延设备将混合浆料制成均匀薄膜，并且在流延设备上将浆料间歇的进行隔段打孔，以增大部分位置的薄膜表面接触面积;

S3、对薄膜采用热等静压烧结工艺，并使带孔的薄膜位于最上方，在高温高压下处理以形成表面带凹槽的基板;

S4、对表面带凹槽的基板进行等离子处理，然后通过真空溅射技术，均匀沉积铝层在基板表面，以进行覆铝处理;

S5、将覆铝处理后的基板使用激光切割设备进行精确加工。

2.根据权利要求1所述一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，其特征在于：所述纳米增强剂为碳纳米管和石墨烯的混合物。

3.根据权利要求1所述一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，其特征在于：所述流延设备包括台座(1)、安装于台座(1)内部前侧的驱动主体(2)、连接于驱动主体(2)顶侧左部的输送带(3)、安装于输送带(3)内部前后两侧的两个张紧辊(4)以及从后至前依次排列设置于台座(1)顶部的浆液箱(5)、紧压机构(7)、打孔机构(8)和蒸发主体(9)，所述浆液箱(5)前侧壁底部紧固有刮刀(6)，所述输送带(3)安装于台座(1)内部顶侧。

4.根据权利要求3所述一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，其特征在于：所述紧压机构(7)包括固定连接于台座(1)顶部左右两侧的外框架(71)、安装于外框架(71)内部左右两侧的两个气缸(72)、连接于气缸(72)底端部的移位架(73)、滑动连接于移位架(73)顶部左侧的侧架(74)、滑动连接于移位架(73)顶部右侧的矩形块(75)以及设置于移位架(73)底侧的滚压结构(76)，所述侧架(74)和矩形块(75)顶部均与外框架(71)相紧固，所述移位架(73)左侧插入滑动于外框架(71)内部，所述滚压结构(76)顶侧贯穿设置于侧架(74)内部。

5.根据权利要求4所述一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，其特征在于：所述滚压结构(76)包括紧固于侧架(74)右侧的第一电机(761)、连接于第一电机(761)左侧输出端的第一锥齿轮(762)、啮合于第一锥齿轮(762)顶部左侧的第二锥齿轮(763)、贯穿设置于第二锥齿轮(763)内部中侧的转杆(764)、包裹设置于转杆(764)外表面底侧的套块(765)、连接于套块(765)底侧的第三锥齿轮(766)、啮合传动于第三锥齿轮(766)底部右侧的第四锥齿轮(767)以及连接于第四锥齿轮(767)右侧中部的压辊(768)，所述转杆(764)顶侧贯穿转动于侧架(74)内部，所述套块(765)贯穿转动于移位架(73)左侧内部，所述压辊(768)右侧中部与移位架(73)转动连接，并且压辊(768)左部中侧贯穿转动于移位架(73)内部。

6.根据权利要求5所述一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，其特征在于：所述转杆(764)外表面底侧纵向开设有条形槽(7641)，所述套块(765)内部设置有凸块，并且凸块插入滑动于条形槽(7641)内侧。

7.根据权利要求3所述一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，其特征在于：所述打孔机构(8)包括左右两侧底部与台座(1)相固定的门形架(81)、紧固于门形架(81)顶部左侧的第二电机(82)、连接于第二电机(82)底部输出端的抬压结构(83)、连接于抬压结构(83)底侧的横板(84)、紧固于抬压结构(83)底部右侧的连接头(85)以及设置于连接头(85)底部的压孔结构(86)，所述抬压结构(83)上下两侧分别贯穿设置于门形架(81)和横板(84)内部，所述横板(84)左右两侧均与门形架(81)相固定。

8.根据权利要求7所述一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，其特征在于：所述抬压结构(83)包括与第二电机(82)底部输出端相连接的轴杆(831)、包裹固定于轴杆(831)外表面中部的斜盘(832)、分别接触滑动于斜盘(832)右部上下两侧的第一斜块(833)和第二斜块(834)、连接于第一斜块(833)顶部的第一支套(835)、连接于第二斜块(834)底部的第二支套(836)以及贯穿固定于第一支套(835)和第二支套(836)内部的立杆(837)，所述轴杆(831)底部与横板(84)转动连接，所述立杆(837)底端部与连接头(85)相紧固，所述立杆(837)右侧上下两部均开设有定位槽(8371)，并且立杆(837)上的两个定位槽(8371)处分别呈纵向状贯穿滑动于门形架(81)和横板(84)内部。

9.根据权利要求7所述一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，其特征在于：所述压孔结构(86)包括后部中侧与连接头(85)相紧固的框罩(861)，所述框罩(861)内部中侧紧固有槽架(862)，所述槽架(862)右侧安装有调位组件(863)，所述调位组件(863)前部左侧连接有第一短杆(864)，所述第一短杆(864)另一端部转动连接有长杆(865)，所述长杆(865)设置有九个，且两两之间转动连接以依次排列分布于槽架(862)前侧，位于最左侧的长杆(865)上端与第二短杆(867)相连接，九个所述长杆(865)内部中侧均贯穿设置有第一插杆(866)，且第一插杆(866)后侧与槽架(862)滑动连接，所述第二短杆(867)底侧中部贯穿设置有第二插杆(868)，且第二插杆(868)后侧与槽架(862)滑动连接，所述调位组件(863)贯穿设置于框罩(861)上部右侧，所述框罩(861)前部中侧横向开设有通槽，并且第一插杆(866)和第二插杆(868)前部贯穿设置于通槽内侧。

10.根据权利要求9所述一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，其特征在于：所述调位组件(863)包括紧固于槽架(862)右侧的支承架(8631)、转动连接于支承架(8631)内部右侧的蜗杆(8632)、固定连接于蜗杆(8632)顶端部的旋头(8633)、啮合传动于蜗杆(8632)左侧的蜗轮(8634)以及固定连接于蜗轮(8634)前部中侧的连杆(8635)，所述旋头(8633)贯穿转动于框罩(861)上部右侧，所述连杆(8635)后侧与支承架(8631)转动连接，并且连杆(8635)前端部与第一短杆(864)相连接。

说明书

技术领域

[0001]本发明涉及陶瓷基板材料技术领域，具体为一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺。

背景技术

[0002]氮化铝陶瓷基板作为一种新型陶瓷基板，具有导热效率高、较低的介电常数和介质能耗，可靠的绝缘性能，优良的力学性能，无毒耐高温，耐化学腐蚀的特点;随着微电子设备的迅猛发展，高导热氮化铝基板广泛应用于通讯期间，高亮度LED，电力电子器件等行业，是一种性能优秀的电子陶瓷材料。

[0003]目前，中国专利申请号：CN202111242796.8公开了一种氮化铝陶瓷基板，由氮化铝粉体、烧结助剂、抗弯复合材料、有机溶剂、消泡剂组成，其组分按重量份数计为：氮化铝粉体70-90份、烧结助剂2-6份、抗弯复合材料8-12份、有机溶剂1-3份、消泡剂3-7份。

[0004]但是，现有技术在氮化铝陶瓷基板的生产过程中，通常直接将铝层涂覆在陶瓷基板表面，铝层与陶瓷基板之间的相互作用力相对较小，并且在使用的流延设备中，不便对浆料的厚度进行调控，且对浆料中溶剂的蒸发效率较差，不便对制备薄膜的浆料进行处理，使该薄膜制成的基板与铝层之间的连接效果较差，影响陶瓷基板的导电性和性能。

发明内容

[0005]本发明的目的在于提供一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

[0006]为了实现上述目的，本发明采取以下技术方案：一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，包括以下步骤：

[0007]S1、混合氮化铝粉末与纳米增强剂，使用高精度混合设备确保均匀分散，以形成混合浆料;

[0008]S2、采用流延设备将混合浆料制成均匀薄膜，并且在流延设备上将浆料间歇的进行隔段打孔，以增大部分位置的薄膜表面接触面积;

[0009]S3、对薄膜采用热等静压烧结工艺，并使带孔的薄膜位于最上方，在高温高压下处理以形成表面带凹槽的基板;

[0010]S4、对表面带凹槽的基板进行等离子处理，然后通过真空溅射技术，均匀沉积铝层在基板表面，以进行覆铝处理;

[0011]S5、将覆铝处理后的基板使用激光切割设备进行精确加工。

[0012]优选的，所述纳米增强剂为碳纳米管和石墨烯的混合物。

[0013]优选的，所述流延设备包括台座、安装于台座内部前侧的驱动主体、连接于驱动主体顶侧左部的输送带、安装于输送带内部前后两侧的两个张紧辊以及从后至前依次排列设置于台座顶部的浆液箱、紧压机构、打孔机构和蒸发主体，所述浆液箱前侧壁底部紧固有刮刀，所述输送带安装于台座内部顶侧。

[0014]优选的，所述紧压机构包括固定连接于台座顶部左右两侧的外框架、安装于外框架内部左右两侧的两个气缸、连接于气缸底端部的移位架、滑动连接于移位架顶部左侧的侧架、滑动连接于移位架顶部右侧的矩形块以及设置于移位架底侧的滚压结构，所述侧架和矩形块顶部均与外框架相紧固，所述移位架左侧插入滑动于外框架内部，所述滚压结构顶侧贯穿设置于侧架内部。

[0015]优选的，所述滚压结构包括紧固于侧架右侧的第一电机、连接于第一电机左侧输出端的第一锥齿轮、啮合于第一锥齿轮顶部左侧的第二锥齿轮、贯穿设置于第二锥齿轮内部中侧的转杆、包裹设置于转杆外表面底侧的套块、连接于套块底侧的第三锥齿轮、啮合传动于第三锥齿轮底部右侧的第四锥齿轮以及连接于第四锥齿轮右侧中部的压辊，所述转杆顶侧贯穿转动于侧架内部，所述套块贯穿转动于移位架左侧内部，所述压辊右侧中部与移位架转动连接，并且压辊左部中侧贯穿转动于移位架内部。

[0016]优选的，所述转杆外表面底侧纵向开设有条形槽，所述套块内部设置有凸块，并且凸块插入滑动于条形槽内侧。

[0017]优选的，所述打孔机构包括左右两侧底部与台座相固定的门形架、紧固于门形架顶部左侧的第二电机、连接于第二电机底部输出端的抬压结构、连接于抬压结构底侧的横板、紧固于抬压结构底部右侧的连接头以及设置于连接头底部的压孔结构，所述抬压结构上下两侧分别贯穿设置于门形架和横板内部，所述横板左右两侧均与门形架相固定。

[0018]优选的，所述抬压结构包括与第二电机底部输出端相连接的轴杆、包裹固定于轴杆外表面中部的斜盘、分别接触滑动于斜盘右部上下两侧的第一斜块和第二斜块、连接于第一斜块顶部的第一支套、连接于第二斜块底部的第二支套以及贯穿固定于第一支套和第二支套内部的立杆，所述轴杆底部与横板转动连接，所述立杆底端部与连接头相紧固，所述立杆右侧上下两部均开设有定位槽，并且立杆上的两个定位槽处分别呈纵向状贯穿滑动于门形架和横板内部。

[0019]优选的，所述压孔结构包括后部中侧与连接头相紧固的框罩，所述框罩内部中侧紧固有槽架，所述槽架右侧安装有调位组件，所述调位组件前部左侧连接有第一短杆，所述第一短杆另一端部转动连接有长杆，所述长杆设置有九个，且两两之间转动连接以依次排列分布于槽架前侧，位于最左侧的长杆上端与第二短杆相连接，九个所述长杆内部中侧均贯穿设置有第一插杆，且第一插杆后侧与槽架滑动连接，所述第二短杆底侧中部贯穿设置有第二插杆，且第二插杆后侧与槽架滑动连接，所述调位组件贯穿设置于框罩上部右侧，所述框罩前部中侧横向开设有通槽，并且第一插杆和第二插杆前部贯穿设置于通槽内侧。

[0020]优选的，所述调位组件包括紧固于槽架右侧的支承架、转动连接于支承架内部右侧的蜗杆、固定连接于蜗杆顶端部的旋头、啮合传动于蜗杆左侧的蜗轮以及固定连接于蜗轮前部中侧的连杆，所述旋头贯穿转动于框罩上部右侧，所述连杆后侧与支承架转动连接，并且连杆前端部与第一短杆相连接。

[0021]与现有技术相比，本发明的有益效果是：

[0022]本发明混合氮化铝粉末与纳米增强剂后，采用流延设备将混合浆料制成均匀薄膜，并且在流延设备上将浆料间歇的进行隔段打孔，以增大部分位置的薄膜表面接触面积，然后对薄膜采用热等静压烧结工艺，并使带孔的薄膜位于最上方，在高温高压下处理形成表面带凹槽的基板，增加材料致密性和机械性能，然后对表面带凹槽的基板进行等离子处理，进行表面清洁和活化，提高铝层的附着力，再通过真空溅射技术，均匀沉积铝层在基板表面，以进行覆铝处理，且部分铝层填充入基板的表面凹槽中，提高了基板与铝层的连接效果，进一步提高陶瓷基板的导电性和性能。

[0023]本发明在氮化铝覆铝陶瓷基板的生产工艺中，优化使用了流延设备，在流延设备的浆液箱前侧壁底部紧固有刮刀，通过刮刀使浆液箱内流出的浆料平铺在输送带上，在浆料输送移动至紧压机构下方时对浆料压紧压实，以提高材料的致密性，然后在浆料通过打孔机构下方后进入蒸发主体内对浆料的溶剂蒸发处理以制成薄膜，并且可使打孔机构定期启动，以在薄膜上隔一段位置打出一片小区域的孔，以增大薄膜打孔部位的表面接触面积，提高与其他材料的连接效果。

[0024]本发明通过第三锥齿轮和第四锥齿轮的配合使压辊在移位架内侧进行旋转，从而使压辊在与浆料接触后对平铺的浆料进行挤压，且通过压辊高度位置的调节以控制浆料的厚度，转杆外表面底侧纵向开设有条形槽，套块内部设置有凸块，并且凸块插入滑动于条形槽内侧，以便于套块在转杆表面调节高度位置，且在套块的高度移动后通过转杆上条形槽与套块内凸块的配合使套块高度移动后仍可进行转动。

[0025]本发明的长杆设置有九个，且两两之间转动连接以依次排列分布于槽架前侧，位于最左侧的长杆上端与第二短杆相连接，九个长杆内部中侧均贯穿设置有第一插杆，且第一插杆后侧与槽架滑动连接，第二短杆底侧中部贯穿设置有第二插杆，且第二插杆后侧与槽架滑动连接，在第一短杆转动时带动九个长杆和第二短杆进行展开，从而使第一插杆和第二插杆进行横向移位后展开位置，以调节对平铺的浆料的压孔位置。

附图说明

[0026]图1为本发明流延设备的结构示意图;

[0027]图2为本发明紧压机构的结构示意图;

[0028]图3为本发明滚压结构的结构示意图;

[0029]图4为本发明打孔机构的结构示意图;

[0030]图5为本发明抬压结构的结构示意图;

[0031]图6为本发明图4中的压孔结构的内部结构仰视图;

[0032]图7为本发明调位组件的结构示意图。

[0033]图中：台座-1、驱动主体-2、输送带-3、张紧辊-4、浆液箱-5、刮刀-6、紧压机构-7、打孔机构-8、蒸发主体-9、外框架-71、气缸-72、移位架-73、侧架-74、矩形块-75、滚压结构-76、第一电机-761、第一锥齿轮-762、第二锥齿轮-763、转杆-764、套块-765、第三锥齿轮-766、第四锥齿轮-767、压辊-768、条形槽-7641、门形架-81、第二电机-82、抬压结构-83、横板-84、连接头-85、压孔结构-86、轴杆-831、斜盘-832、第一斜块-833、第二斜块-834、第一支套-835、第二支套-836、立杆-837、定位槽-8371、框罩-861、槽架-862、调位组件-863、第一短杆-864、长杆-865、第一插杆-866、第二短杆-867、第二插杆-868、支承架-8631、蜗杆-8632、旋头-8633、蜗轮-8634、连杆-8635。

具体实施方式

[0034]为了进一步解释本发明的技术方案，下面通过具体实施例进行详细阐述。

[0035]本发明提供一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，包括以下步骤：

[0036]S1、混合氮化铝粉末与纳米增强剂，混合比例为95:5，使用高精度混合设备确保均匀分散，以形成混合浆料;

[0037]S2、采用流延设备将混合浆料制成均匀薄膜，并且在流延设备上将浆料间歇的进行隔段打孔，以增大部分位置的薄膜表面接触面积;

[0038]S3、对薄膜采用热等静压烧结工艺，并使带孔的薄膜位于最上方，在高温高压下处理以形成表面带凹槽的基板，增加材料致密性和机械性能;

[0039]S4、对表面带凹槽的基板进行等离子处理，用于表面清洁和活化，提高铝层的附着力，然后通过真空溅射技术，均匀沉积铝层在基板表面，以进行覆铝处理，提高导电性和性能;

[0040]S5、将覆铝处理后的基板使用激光切割设备进行精确加工，确保产品符合规格。

[0041]其中，纳米增强剂为碳纳米管和石墨烯的混合物，碳纳米管和石墨烯的混合比例为1:2，以提高导热性和机械强度。

[0042]请参阅图1，本发明提供一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，流延设备包括台座1、安装于台座1内部前侧的驱动主体2、连接于驱动主体2顶侧左部的输送带3，以通过驱动主体2带动输送带3进行移位动作，安装于输送带3内部前后两侧的两个张紧辊4以及从后至前依次排列设置于台座1顶部的浆液箱5、紧压机构7、打孔机构8和蒸发主体9，输送带3安装于台座1内部顶侧，浆液箱5前侧壁底部紧固有刮刀6，通过刮刀6使浆液箱内流出的浆料平铺在输送带上，在浆料输送移动至紧压机构7下方时对浆料压紧压实，以提高材料的致密性，然后在浆料通过打孔机构8下方后进入蒸发主体9内对浆料的溶剂蒸发处理以制成薄膜，并且可使打孔机构8定期启动，以在薄膜上隔一段位置打出一片小区域的孔，以增大薄膜打孔部位的表面接触面积，提高与其他材料的连接效果。

[0043]请参阅图1、图2和图3，本发明提供一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，紧压机构7包括固定连接于台座1顶部左右两侧的外框架71、安装于外框架71内部左右两侧的两个气缸72、连接于气缸72底端部的移位架73、滑动连接于移位架73顶部左侧的侧架74、滑动连接于移位架73顶部右侧的矩形块75以及设置于移位架73底侧的滚压结构76，在气缸72的作用下使移位架73在侧架74和矩形块75底部作纵向高度位置的移动调节，从而改变滚压结构76底部位置的高度，使其贴合在平铺的浆料上对浆料产生挤压，将浆料压紧压实的同时可排出部分溶剂，减少溶剂蒸发所需的时间，侧架74和矩形块75顶部均与外框架71相紧固，移位架73左侧插入滑动于外框架71内部，提高移位架73的稳定性，滚压结构76顶侧贯穿设置于侧架74内部，以通过侧架74起到支撑定位的作用。

[0044]其中，滚压结构76包括紧固于侧架74右侧的第一电机761、连接于第一电机761左侧输出端的第一锥齿轮762、啮合于第一锥齿轮762顶部左侧的第二锥齿轮763、贯穿设置于第二锥齿轮763内部中侧的转杆764，在第一电机761的作用下使第一锥齿轮762通过与第二锥齿轮763的配合带动转杆764进行旋转，包裹设置于转杆764外表面底侧的套块765、连接于套块765底侧的第三锥齿轮766、啮合传动于第三锥齿轮766底部右侧的第四锥齿轮767以及连接于第四锥齿轮767右侧中部的压辊768，转杆764顶侧贯穿转动于侧架74内部，套块765贯穿转动于移位架73左侧内部，压辊768右侧中部与移位架73转动连接，并且压辊768左部中侧贯穿转动于移位架73内部，以通过第三锥齿轮766和第四锥齿轮767的配合使压辊768在移位架73内侧进行旋转，从而使压辊768在与浆料接触后对平铺的浆料进行挤压，且通过压辊768高度位置的调节以控制浆料的厚度，转杆764外表面底侧纵向开设有条形槽7641，套块765内部设置有凸块，并且凸块插入滑动于条形槽7641内侧，以便于套块765在转杆764表面调节高度位置，且在套块765的高度移动后通过转杆764上条形槽7641与套块765内凸块的配合使套块765高度移动后仍可进行转动。

[0045]请参阅图1、图4、图5、图6和图7，本发明提供一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，打孔机构8包括左右两侧底部与台座1相固定的门形架81、紧固于门形架81顶部左侧的第二电机82、连接于第二电机82底部输出端的抬压结构83、连接于抬压结构83底侧的横板84、紧固于抬压结构83底部右侧的连接头85以及设置于连接头85底部的压孔结构86，在第二电机82的作用下使抬压结构83通过连接头85带动压孔结构86进行上下的往复移位动作，从而通过压孔结构86与浆料的接触使浆料间歇的进行隔段打孔，使形成的薄膜上呈间断式的具有孔槽，抬压结构83上下两侧分别贯穿设置于门形架81和横板84内部，横板84左右两侧均与门形架81相固定，起到支撑定位的作用。

[0046]其中，抬压结构83包括与第二电机82底部输出端相连接的轴杆831、包裹固定于轴杆831外表面中部的斜盘832，在第二电机82的作用下使轴杆831带动斜盘832进行转位动作，分别接触滑动于斜盘832右部上下两侧的第一斜块833和第二斜块834、连接于第一斜块833顶部的第一支套835、连接于第二斜块834底部的第二支套836以及贯穿固定于第一支套835和第二支套836内部的立杆837，通过斜盘832与第一斜块833和第二斜块834的配合使第一支套835和第二支套836带动立杆837进行纵向移位，轴杆831底部与横板84转动连接，立杆837底端部与连接头85相紧固，以在立杆837的作用下使连接头85纵向移位，立杆837右侧上下两部均开设有定位槽8371，并且立杆837上的两个定位槽8371处分别呈纵向状贯穿滑动于门形架81和横板84内部，以起到支撑定位的作用，保证立杆837稳定的进行上下移位动作。

[0047]其中，压孔结构86包括后部中侧与连接头85相紧固的框罩861，框罩861内部中侧紧固有槽架862，槽架862右侧安装有调位组件863，调位组件863前部左侧连接有第一短杆864，在调位组件863的作用下使第一短杆864进行转动，第一短杆864另一端部转动连接有长杆865，长杆865设置有九个，且两两之间转动连接以依次排列分布于槽架862前侧，位于最左侧的长杆865上端与第二短杆867相连接，九个长杆865内部中侧均贯穿设置有第一插杆866，且第一插杆866后侧与槽架862滑动连接，第二短杆867底侧中部贯穿设置有第二插杆868，且第二插杆868后侧与槽架862滑动连接，在第一短杆864转动时带动九个长杆865和第二短杆867进行展开，从而使第一插杆866和第二插杆868进行横向移位后展开位置，以调节对平铺的浆料的压孔位置，调位组件863贯穿设置于框罩861上部右侧，框罩861前部中侧横向开设有通槽，并且第一插杆866和第二插杆868前部贯穿设置于通槽内侧，以便于通过插杆对平铺的浆料进行压孔。

[0048]其中，调位组件863包括紧固于槽架862右侧的支承架8631、转动连接于支承架8631内部右侧的蜗杆8632、固定连接于蜗杆8632顶端部的旋头8633、啮合传动于蜗杆8632左侧的蜗轮8634以及固定连接于蜗轮8634前部中侧的连杆8635，旋头8633贯穿转动于框罩861上部右侧，连杆8635后侧与支承架8631转动连接，起到支撑限位的作用，保证连杆8635转动的稳定性，连杆8635前端部与第一短杆864相连接，转动旋头8633时通过蜗杆8632与蜗轮8634的配合使连杆8635带动第一短杆864进行转位动作。

[0049]本发明的一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，流延设备的工作原理如下：

[0050]第一、通过台座1将流延设备放置在需要制成薄膜的位置，然后在浆液箱5中加入氮化铝粉末与纳米增强剂混合形成的浆料，以对薄膜进行生产制备;

[0051]第二、浆液箱5中的浆料向下流动以铺在输送带3上，然后随着输送带3的移动使浆料被刮刀6刮平以平铺在输送带3上方;

[0052]第三、在输送带3上平铺的浆料进入紧压机构7下方，使用者可控制启动气缸72，在气缸72的作用下使移位架73在侧架74和矩形块75底部作高度位置向下的移动调节，从而改变压辊768底部位置的高度，使其贴合在平铺的浆料上对浆料产生挤压，在移位架73向下移动的同时，套块765随着移位架73同步移位动作，在套块765向下移动后通过转杆764上条形槽7641与套块765内凸块的配合使套块765高度移动后仍可进行转动，然后控制启动第一电机761，在第一电机761的作用下使第一锥齿轮762通过与第二锥齿轮763的配合带动转杆764进行旋转，转杆764转动时通过第三锥齿轮766和第四锥齿轮767的配合使压辊768在移位架73内侧进行旋转，从而使压辊768在与浆料接触后对平铺的浆料进行挤压，将浆料压紧压实的同时可排出部分溶剂，减少溶剂蒸发所需的时间;

[0053]第四、经过压紧压实后的浆料进入打孔机构8下方，可转动旋头8633以通过蜗杆8632与蜗轮8634的配合使连杆8635带动第一短杆864进行转位动作，在第一短杆864转动时带动九个长杆865和第二短杆867进行展开，从而使第一插杆866和第二插杆868进行横向移位后展开位置，以调节对平铺的浆料的压孔位置，然后间歇的通断第二电机82，通过控制第二电机82启动使轴杆831带动斜盘832进行转位动作，通过斜盘832与第一斜块833和第二斜块834的配合使第一支套835和第二支套836带动立杆837进行纵向方向的往复移位，从而使立杆837通过连接头85带动第一插杆866和第二插杆868进行上下的往复移位动作，进而通过第一插杆866和第二插杆868与浆料的接触使浆料间歇的进行隔段打孔，以呈间断式的在浆料上所需的部位上形成孔槽，以增大浆料打孔部位的表面接触面积;

[0054]第五、在对浆料打孔后，浆料进入蒸发主体9内对浆料的溶剂蒸发处理，以制成隔一段位置具有一片小区域的孔的薄膜。

[0055]以上所述仅为本发明的优选实例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

说明书附图(7)