权利要求
1.一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，其特征在于：包括以下步骤：
S1、混合氮化铝粉末与纳米增强剂，使用高精度混合设备确保均匀分散，以形成混合浆料;
S2、采用流延设备将混合浆料制成均匀薄膜，并且在流延设备上将浆料间歇的进行隔段打孔，以增大部分位置的薄膜表面接触面积;
S3、对薄膜采用热等静压烧结工艺，并使带孔的薄膜位于最上方，在高温高压下处理以形成表面带凹槽的基板;
S4、对表面带凹槽的基板进行等离子处理，然后通过真空溅射技术，均匀沉积铝层在基板表面，以进行覆铝处理;
S5、将覆铝处理后的基板使用激光切割设备进行精确加工。
2.根据权利要求1所述一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，其特征在于：所述纳米增强剂为碳纳米管和石墨烯的混合物。
3.根据权利要求1所述一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，其特征在于：所述流延设备包括台座(1)、安装于台座(1)内部前侧的驱动主体(2)、连接于驱动主体(2)顶侧左部的输送带(3)、安装于输送带(3)内部前后两侧的两个张紧辊(4)以及从后至前依次排列设置于台座(1)顶部的浆液箱(5)、紧压机构(7)、打孔机构(8)和蒸发主体(9)，所述浆液箱(5)前侧壁底部紧固有刮刀(6)，所述输送带(3)安装于台座(1)内部顶侧。
4.根据权利要求3所述一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，其特征在于：所述紧压机构(7)包括固定连接于台座(1)顶部左右两侧的外框架(71)、安装于外框架(71)内部左右两侧的两个气缸(72)、连接于气缸(72)底端部的移位架(73)、滑动连接于移位架(73)顶部左侧的侧架(74)、滑动连接于移位架(73)顶部右侧的矩形块(75)以及设置于移位架(73)底侧的滚压结构(76)，所述侧架(74)和矩形块(75)顶部均与外框架(71)相紧固，所述移位架(73)左侧插入滑动于外框架(71)内部，所述滚压结构(76)顶侧贯穿设置于侧架(74)内部。
5.根据权利要求4所述一种氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺，其特征在于：所述滚压结构(76)包括紧固于侧架(74)右侧的第一电机(761)、连接于第一电机(761)左侧输出端的第一锥齿轮(762)、啮合于第一锥齿轮(762)顶部左侧的第二锥齿轮(763)、贯穿设置于第二锥齿轮(763)内部中侧的转杆(764)、包裹设置于转杆(764)外表面底侧的套块(765)、连接于套
声明：
“氮化铝覆铝陶瓷基板生产工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：福建臻璟新材料科技有限公司
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2025年05月23日 ~ 25日 
