权利要求
1.一种空间用多结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.在GaAs衬底上生长多结太阳电池的外延片，依次包括腐蚀截止层、子电池结构与隧穿结、欧姆接触层;
S2.在外延片表面使用PECVD技术依次沉积氮化硅牺牲层与二氧化硅层;
S3.利用临时键合技术，将外延片与蓝宝石临时衬底键合在一起，然后去除GaAs衬底和腐蚀截止层，进行外延片的第一次翻转;
S4.在外延片上制作ODR反射层;
S5.利用金属键合技术，将外延片与Si衬底键合在一起，并且去除蓝宝石临时衬底，实现外延片的第二次翻转;
S6.在翻转后的外延片上进行芯片工艺制作。
2.根据权利要求1所述的一种空间用多结太阳电池的制备方法，其特征在于，S1中，所述腐蚀截止层的材料为InGaP或AlInP;所述子电池结构为二结或单结，二结生长的顺序是GaAs、InGaP，单结为GaAs或InGaP;所述隧穿结为GaAs/AlGaAs或GaAs/GaInP;所述子电池整体厚度为1μm-2μm;所述欧姆接触层的材料为GaAs。
3.根据权利要求2所述的一种空间用多结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述子电池结构包括背反射层、基区、发射区、PN结、窗口层;GaAs子电池窗口层的材料为AlGaAs或InGaP，InGaP子电池窗口层的材料为AlInP。
4.根据权利要求1所述的一种空间用多结太阳电池的制备方法，其特征在于，S2中，所述氮化硅牺牲层的厚度不低于0.5μm，二氧化硅层的厚度不低于2μm。
5.根据权利要求1所述的一种空间用多结太阳电池的制备方法，其特征在于，S3中，键合条件为：真空度低于5E-01Pa，压力15000kgf，温度375℃，键合时间为45min;去除GaAs衬底的腐蚀溶液的化学成分为NH4OH、H2O2、H2O体积比例为1:1:5或1:5:5的混合液;去除腐蚀截止层的溶液为盐酸溶液。
6.根据权利要求1所述的一种空间用多结太阳电池的制备方法，其特征在于，S4中，ODR反射层的制作方法包括以下步骤：首先，采用电子束蒸发技术或PECVD技术在外延片表面沉积介质膜;然后，通过光刻技术，在介质膜上制作图形，采用化学溶液腐蚀或干
声明：
“空间用多结太阳电池及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
522
编辑：中冶有色网
来源：南昌凯迅光电股份有限公司
分享 0
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
2025年05月23日 ~ 25日 
