权利要求
1.一种高电阻均匀性的N型单晶硅棒的制备方法，其特征在于，所述制备方法为直拉法，包括以下步骤：
(1) 将多晶硅料和掺杂剂置于石英坩埚中，在20 torr氩气气氛下加热熔融至稳定的熔硅;
(2) 在稳定的熔硅中引入籽晶，随后经缩颈、放肩后，进入等径生长阶段;
(3) 在等径生长的全阶段，保持拉晶速率不变，在等径生长开始时降低单晶炉内氩气气压至0.5-0.8 torr，保持至直拉单晶硅棒生长完成，冷却，得到N型单晶硅棒;
步骤(2)所述籽晶为经过预处理的籽晶，预处理方法包括以下步骤：
(a) 将山梨醇酐十二酸酯与1-氨基-1-脱氧-D-吡喃半乳糖混合，搅拌下加入十二烷基苯磺酸与对甲苯磺酸的混合催化剂，30-40 mmHg、120℃下反应，4℃静置，过滤，滤渣洗涤，真空干燥，得到改性山梨醇酐十二酸酯;
(b) 将氢氟酸、乙酸、柠檬酸溶于去离子水中，搅拌得到混酸溶液，将混酸溶液加入3wt%的壳聚糖乙酸溶液中，加入2-氨基乙基硬脂酸酯至浓度为1wt%的，搅拌，离心，冷冻干燥，得到酸缓释微囊;
(c) 将步骤(b)所得酸缓释微囊放入乙醇和乙酸的混合液中，超声，加入EDTAD，反应，洗涤，干燥得到微囊-EDTA;
(d) 将步骤(a)所得改性山梨醇酐十二酸酯与去离子水混匀，放入籽晶，超声，取出后加入微囊-EDTA液中，超声，取出籽晶，将其置于超纯水中漂洗，用氮气吹干，得到预处理后的籽晶。
2.根据权利要求1所述的一种高电阻均匀性的N型单晶硅棒的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述熔融温度为1420-1450℃;氩气流量为70slpm;掺杂剂为锑与红磷按照8:1的质量比组成;掺杂剂按照磷浓度3.5×1018原子/cm3将掺杂剂添加至多晶硅料中。
3. 根据权利要求2所述的一种高电阻均匀性的N型单晶硅棒的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述缩颈时的坩埚温度为1420-1500℃;所述放肩时的坩埚温度为1000-1100℃，坩埚转速为9-10 rpm，晶体转速为10-11 rpm。
4. 根据权利要求3所述的一种高电阻均匀性的N型单晶硅棒的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述等径生长的坩埚温度为1300-14
声明：
“高电阻均匀性的N型单晶硅棒的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：内蒙古昌瑞半导体材料有限公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
