权利要求
1.一种镍钴锰三元前驱体的制备方法,其特征在于,包括:
配制含镍钴锰的混合金属盐溶液;
将所述混合金属盐溶液进行第一共沉淀反应制备镍钴锰三元前驱体晶种;
所述第一共沉淀反应依次包括第一阶段反应和第二阶段反应,所述第二阶段反应相对于所述第一阶段反应,pH和混合金属盐溶液流量相同或不同;
将所述混合金属盐溶液与所述镍钴锰三元前驱体晶种进行第二共沉淀反应制备镍钴锰三元前驱体;所述第二共沉淀反应依次包括第三阶段反应和第四阶段反应;所述第四阶段反应相对于所述第三阶段反应:pH升高,且所述混合金属盐溶液流量升高。
2.如权利要求1所述的镍钴锰三元前驱体的制备方法,其特征在于,所述第四阶段反应相对于所述第三阶段反应:pH升高0.5~1.2,且所述混合金属盐溶液流量升高2倍~5倍。
3.如权利要求1所述的镍钴锰三元前驱体的制备方法,其特征在于,
所述第三阶段反应中的pH为9.8~12.0,所述第四阶段反应中的pH为10.1~12.3;
和/或,所述第三阶段反应中的混合金属盐溶液流量为12 L/h~18 L/h,所述第四阶段反应中的混合金属盐溶液流量为43 L/h~53 L/h。
4.如权利要求1所述的镍钴锰三元前驱体的制备方法,其特征在于,所述第四阶段反应过程中,反应结束阶段的搅拌转速低于反应初始阶段的搅拌转速。
5.如权利要求1-4任一项所述的镍钴锰三元前驱体的制备方法,其特征在于,所述第二阶段反应相对于所述第一阶段反应:pH降低,且混合金属盐溶液流量升高。
6.一种镍钴锰三元前驱体,其特征在于,包括晶核以及依次包覆所述晶核的晶种层、过渡层和稳定层;
所述晶核的孔隙率为5.0%~20.0%,所述晶种层的孔隙率为1.0%~6.0%,所述过渡层的孔隙率为3.0%~8.0%,所述稳定层的孔隙率为2.0%~5.0%,所述镍钴锰三元前驱体的总孔隙率为3.0%~6.0%;
所述镍钴锰三元前驱体颗粒的体积分布径距K90≦0.50;
所述镍钴锰三元前驱体一次颗粒在Avizo表征中,表征数量的50%的长度为400 nm~500nm,表征数量的50%的宽度为100 nm~180 n
声明:
“镍钴锰三元前驱体及其制备方法、正极材料、电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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