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水热法CdS纳米线的制备与表征

1242 编辑：中冶有色网来源：李燕玲, 黄烨, 刘小英, 张弘, 何聪颖, 张弘, 张粤, 田春锁, 黄国现, 张粤, 刘林生*

2024-05-06 14:20:56

水热法CdS纳米线的制备与表征转载于汉斯学术交流平台，如有侵权，请联系我们水热法CdS纳米线的制备与表征内容总结：通常方法制备的硫化镉(CdS)是一种n型半导体材料 [1]，300 K时体相CdS的带隙为2.42 eV，可见光可将其激发，且光吸收系数较大。高纯的CdS是性能良好的半导体材料，已经被广泛的应用于光电探测器 [2]、光敏电阻 [3]、光催化降解 [4]、光解水产氢 [5] 等，且在环境治理和能量转换等领域具有广阔的应用前景。内容： 1. 引言通常方法制备的硫化镉(CdS)是一种n型半导体材料 [1]，300 K时体相CdS的带隙为2.42 eV，可见光可将其激发，且光吸收系数较大高纯的CdS是性能良好的半导体材料，已经被广泛的应用于光电探测器 [2]、光敏电阻 [3]、光催化降解 [4]、光解水产氢 [5] 等，且在环境治理和能量转换等领域具有广阔的应用前景 CdS常用的制备方法有化学气相沉积法、水热法、模板法、导向生长法等本文所制备的CdS纳米线采用的是水热法水热合成法具有许多优点，例如反应设备简单，反应安全，可对样品的形貌进行控制，且所合成样品分散性良好，合成温度较低，其条件温和，且体系稳定；所合成的纳米材料团聚较少，且可通过调节反应物组分、反应时间等控制其形貌；通过水热法还可以有效地防止产物氧化；无需进行高温煅烧，可以有效地避免杂质混入等刘瑶 [6] 等人通过水热法制备了CdS纳米线，并探究了不同水热时间、温度及硫源浓度对CdS纳米线尺寸的影响研究中，他们分别制备了反应时间0.5 h、1.0 h、2.0 h、3.0 h的CdS纳米线作为对比，从结果可以看出随着反应时间的增长CdS纳米线的长度也随之增加 JiWu [7] 等人以氯化镉和氨基硫脲为反应材料，乙二胺为溶剂，通过溶剂热法合成了CdS纳米晶须，用氨基硫脲所制得的CdS纳米晶须直径为60 nm，长达12 μm 研究结果表明，与以硫粉、硫代乙酰胺及硫脲等作为硫源相比，以氨基硫脲作为硫源，能够合成直径均匀、长度较长、结晶性更好的CdS纳米晶须，由结果可以看出氨基硫脲在CdS纳米晶须的制备中发挥重要作用聂秋林 [8] 等人以乙二胺、甲胺、吡啶、氨络合试剂作为反应物模板，CdCl2?2.5H2O、(NH4)2S为反应物，通过水热法制备CdS纳米材料

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