权利要求书： 1.一种微粗糙电解铜箔，其特征在于，所述微粗糙电解铜箔包括一微粗糙表面，所述微粗糙表面具有多个凸峰、多个型凹槽以及多个微结晶簇，两个相邻的所述凸峰界定出一个型凹槽，所述型凹槽的平均深度小于1微米，所述微结晶簇位于所述凸峰顶部，其中每一个所述微结晶簇由多个微结晶堆叠构成，所述微结晶的平均直径小于0.5微米，所述微结晶簇的平均高度小于1.5微米；
其中，所述微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.06。
2.根据权利要求1所述的微粗糙电解铜箔，其特征在于，每一个所述微结晶簇的平均高度小于1.3微米。
3.根据权利要求2所述的微粗糙电解铜箔，其特征在于，每一个所述微结晶簇沿其自身高度方向的所述微结晶平均堆叠数量是15个以下；所述微结晶簇的平均最大宽度小于5微米；部分的所述微结晶簇形成有分岔结构。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的微粗糙电解铜箔，其特征在于，所述微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.055。
5.一种铜箔基板，其特征在于，所述铜箔基板包括：一基材；以及
一微粗糙电解铜箔，其包括一贴附在所述基材的微粗糙表面，所述微粗糙表面形成有多个凸峰、多个型凹槽以及多个微结晶簇，两个相邻的所述凸峰界定出一个型凹槽，所述型凹槽的平均深度小于1微米，所述微结晶簇位于所述凸峰顶部，其中每一个所述微结晶簇由多个微结晶堆叠构成，所述微结晶的平均直径小于0.5微米，所述微结晶簇的平均高度小于1.5微米；
其中，所述铜箔基板于20GHz的介入损失介于0至-0.635db/in；
其中，所述微粗糙电解铜箔与所述基材间的剥离强度大于3lb/in。
6.根据权利要求5所述的铜箔基板，其特征在于，所述铜箔基板于30GHz的介入损失介于0至-0.935db/in。
7.根据权利要求6所述的铜箔基板，其特征在于，所述铜箔基板于8GHz的介入损失介于
0至-0.31db/in，所述铜箔基板于12.89GHz的介入损失介于0至-0.43db/in，所述铜箔基板于16GHz的介入损失介于0至-0.53db/in；所述微粗糙电解铜箔与所述基材之间的剥离强度大于3.5lb/in。
8.根据权利要求7所述的铜箔基板，其特征在于，所述铜箔基板于12.89GHz的介入损失介于0至-0.42db/in，所述铜箔基
声明：
“微粗糙电解铜箔及铜箔基板” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：金居开发股份有限公司
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2025年05月16日 ~ 18日 
