权利要求书： 1.一种提供结晶固体电解质层(111)的方法，其特征在于，所述方法包括：?提供具有处于主体基板(100)的一个表面上的结晶固体电解质层的主体基板(100)，?将所述结晶固体电解质层从所述主体基板(100)转移到受体基板(203)，其中，层转移技术(S11)包括将所述主体基板(100)与受体基板(203)组装的步骤(S2)和将主体基板(100)薄化的步骤(S3)，在所述组装步骤(S2)中所述结晶固体电解质层位于所述主体基板(100)与所述受体基板(203)之间，其中，所述薄化步骤(S3)包括：在所述主体基板中形成弱化区(320)从而限定出所述主体基板中包含要转移的层的部分的步骤(S4)，和将所述弱化区(320)分离从而将所述部分转移到所述受体基板的步骤(S5)，并且其中，所述弱化区(320)包含所述主体基板(100)中的释放层(330)，所述释放层在分离步骤(S5)期间被活化从而发生分离。
2.如权利要求1所述的提供结晶固体电解质层(111)的方法，其特征在于，所述主体基板(100)包括结晶固体电解质材料的本体基板(101)、或设置在支持基板(102)上的结晶固体电解质供体层(110)。
3.如权利要求2所述的提供结晶固体电解质层(111)的方法，其特征在于，通过沉积技术将所述结晶固体电解质供体层(110)设置在所述支持基板(102)上。
4.如权利要求2所述的提供结晶固体电解质层(111)的方法，其特征在于，通过化学气相沉积将所述结晶固体电解质供体层(110)设置在所述支持基板(102)上。
5.如权利要求1所述的提供结晶固体电解质层(111)的方法，其中，所述分离步骤(S5)通过至少一种以下方式实施：退火，施加热应力，施加机械应力，应用照射手段，以及蚀刻。
6.如权利要求5所述的提供结晶固体电解质层(111)的方法，其中，所述分离步骤(S5)通过应用激光束实施。
7.如权利要求1至6中任一项所述的提供结晶固体电解质层(111)的方法，其中，所述结晶固体电解质材料的离子电导率大于0.01S/cm。
8.如权利要求1至6中任一项所述的提供结晶固体电解质层(111)的方法，其中，所述结晶固体电解质材料的对于氢离子、氧离子、锂离子或钠离子的离子电导率大于0.01S/cm。
9.如权利要求1
声明：
“高级固体电解质和制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：索泰克公司
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2025年05月23日 ~ 25日 
