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太阳能电池及其制造方法

858   编辑:中冶有色网   来源:太阳能公司  
2024-02-22 10:29:50
权利要求书: 1.一种太阳能电池,包括: 基板,所述基板具有光接收表面和背表面; 第一导电类型的第一多晶硅发射极区,所述第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上,所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面上; 第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区,所述第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上,所述第二薄介电层设置在所述基板的所述背表面上的多个非连续沟槽中; 其中,所述第一多晶硅发射极区与所述第二多晶硅发射极区横向相邻,并且通过第三薄介电层与所述第二多晶硅发射极区电隔离,所述第三薄介电层与设置在所述基板的所述背表面上的多个非连续沟槽中的第二薄介电层不连续,其中,所述多个非连续沟槽为非重叠的点。 2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述多个非连续沟槽中的每个具有30微米至60微米范围内的宽度,并且其中所述多个非连续沟槽中的依次排列的非连续沟槽以在50微米至300微米范围内的距离隔开。 3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其中所述多个非连续沟槽中的每个具有从所述背表面进入所述基板中的在0.5微米至10微米范围内的深度。 4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述非连续沟槽中的每一个具有近似圆形的形状。 5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述非连续沟槽中的每一个具有纹理化的表面。 6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述第三薄介电层直接侧向设置在所述第一多晶硅发射极区和所述第二多晶硅发射极区之间。 7.根据权利要求1所述的太阳能电池,还包括:电连接至所述第一多晶硅发射极区的第一导电触点结构;以及电连接至所述第二多晶硅发射极区的第二导电触点结构。 8.根据权利要求7所述的太阳能电池,还包括:绝缘层,所述绝缘层设置在所述第一多晶硅发射极区上,其中所述第一导电触点结构被设置为穿过所述绝缘层,并且其中所述第二多晶硅发射极区的一部分与所述绝缘层重叠,但与所述第一导电触点结构分开。 9.根据权利要求7所述的太阳能电池,还包括:绝缘层,所述绝缘层设置在所述第一多晶硅发射极区上,第二导电类型的多晶硅层,所述第二导电类型的多晶硅层设置在所述绝缘层上,其中所述第一导电触点结构被设置为穿过所述第二导电类型的所述多晶硅层以及穿过所述绝缘层。 10.根据权利要求1所述的太阳能电
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