权利要求书： 1.一种太阳能电池的制造方法，是具备半导体基板、层叠在上述半导体基板的与一个主面侧相反的一侧的另一个主面侧的一部分亦即第一区域的第一导电型半导体层、以及层叠在上述半导体基板的上述另一个主面侧的另一部分亦即第二区域的第二导电型半导体层的背面接合型的太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池的制造方法包含以下工序：第一半导体层材料膜形成工序，在上述半导体基板的上述另一个主面侧形成上述第一导电型半导体层的材料膜；
剥离层形成工序，在上述第一导电型半导体层的材料膜上形成剥离层；
第一半导体层形成工序，除去上述第二区域的上述剥离层以及上述第一导电型半导体层的材料膜，由此在上述第一区域形成图案化的上述第一导电型半导体层以及上述剥离层；
第二半导体层材料膜形成工序，在上述第一区域的上述剥离层以及上述第二区域上形成上述第二导电型半导体层的材料膜；以及第二半导体层形成工序，除去上述剥离层，由此除去上述第一区域的上述第二导电型半导体层的材料膜，在上述第二区域形成图案化的上述第二导电型半导体层，上述第二半导体层形成工序包含：至少一次蚀刻工序，将上述半导体基板浸渍在用于除去上述剥离层的蚀刻溶液；以及至少一次冲洗工序，将上述半导体基板浸渍在用于冲洗上述半导体基板的表面的冲洗溶液，在上述蚀刻工序以及上述冲洗工序中的至少一个工序中，在溶液中添加抑制被除去的剥离层和/或第二导电型半导体层的材料膜再附着于上述半导体基板的主面的附着抑制剂。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中，上述第二半导体层形成工序包含依次进行的多个上述冲洗工序，在多个上述冲洗工序中的第二个以后的上述冲洗工序中，在上述冲洗溶液中添加上述附着抑制剂。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，其中，上述附着抑制剂是表面活性剂。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其中，含有上述表面活性剂的上述冲洗溶液的pH是7以上。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其中，上述表面活性剂含有阴离子系的表面活性剂或者阳离子系的表面活性剂或者它们的混合剂。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制造方法，其中，上述表面活性剂是含有芳香族构造以及长链直链状烷基构造的有机酸。
7.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其中，上述表面
声明：
“太阳能电池的制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：中冶有色网
来源：株式会社钟化
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2025年06月20日 ~ 22日 
