权利要求书： 1.一种薄层SiO2钝化膜的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
1)首先提供一种链式连续镀膜的等离子激发的沉积镀膜设备；
2)通过连续输送机构将载有硅片(40)的载板连续输送至链式PECD设备的工艺腔体(10)内实现镀膜；
3)在工艺腔体(10)内，SiH4和O2分别从不同区域出气，通过等离子源(20)的电极板出气孔出02，同时从等离子源(20)的电极板侧面的分气块(30)出SiH4，SiH4和O2两种气体通过不同管路进入到工艺腔体(10)的不同区域流出，在1?20Pa的真空下相遇混合并在连续输送的硅片(40)表面形成SiO2钝化膜；其中，O2直接进入到腔体后在射频能量下由等离子体优先将O2分解成活性氧离子，活性氧离子往下输运到硅片(40)表面时与从分气块(30)出来的SiH4相遇，这时活性氧离子迅速将SiH4氧化并在硅片(40)表面生成Si02薄膜,反应方程式为：SiH4+2O2→SiO2+2H2O。
2.根据权利要求1所述的一种薄层SiO2钝化膜的制备方法，其特征在于，硅片(40)在输送进入链式PECD设备工艺腔体(10)内之前进行预热，且在工艺腔内设置加热板对硅片(40)在线连续加热，使硅片(40)在经过工艺腔体(10)的过程中保持温度在200?400℃之间，以进一步提高SiO2钝化膜的膜层质量。
3.一种太阳能电池，其特征在于，基于权利要求1或2所述的一种薄层SiO2钝化膜的制备方法制备而成。
4.根据权利要求3所述的一种太阳能电池，其特征在于，为Topcon、POLO、IBC、PERC电池中的任一种。
说明书： 一种薄层SiO2钝化膜的制备方法及制备的电池技术领域[0001] 本发明涉及高效太阳能电池制备技术领域，特别涉及一种Topcon、POLO、IBC、PERC等电池中SiO2钝化膜的制备方法以及制备的Topcon、POLO、IBC、PERC等电池。
背景技术[0002] 近年来，随着晶硅太阳能电池的研究和发展，理论和实践都证明表面钝化是电池效率提升的必经之路，氧化铝薄层钝化在PERC电池上获得广泛推广。但是用掺杂多晶硅和
氧化硅叠层钝化效果更佳，是下一代量产技术发展的前景，这是由于氧化硅在晶体硅表面
的起到化学钝化作用，而掺杂
声明：
“薄层SiO2钝化膜的制备方法及制备的电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：江苏杰太光电技术有限公司
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2025年05月16日 ~ 18日 
