硅料的处理装置和硅料的处理方法与流程

1.本发明涉及单晶制造技术领域，特别是涉及一种硅料的处理装置和硅料的处理方法。

背景技术：

2.近年来，光伏发电作为绿色能源以及人类可持续发展的主要能源的一种，日益受到世界各国的重视并得到大力发展。单晶硅片作为光伏发电的一种基础材料，有着广泛的市场需求。单晶硅片通常是由硅棒进行切片处理得到的，而硅棒通常可以由硅料生长得到。

3.实际应用中，硅料通常可以是原生多晶硅或者复拉料等，现有技术中，为了降低环保压力，在使用硅料拉制硅棒之前，通常先使用酸性溶液或者碱性溶液等试剂对硅料进行清洗，以去除硅料中混合的金属以及金属化合物等杂质。

4.然而，使用酸性溶液或者碱性溶液等化学试剂清洗硅料时，酸性溶液或者碱性溶液等化学试剂的用量较大，容易造成硅料的清洗成本较高，环保压力较大；而且，清洗后的硅料产出的硅棒品质仍难满足日益提升的硅棒高品质(成晶率/转换效率)要求。

技术实现要素：

5.鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种硅料的处理装置和硅料的处理方法。

6.为了解决上述问题，第一方面，本发明实施例公开了一种硅料的处理装置，包括：用于带动硅料沿预设传送路径运动的运输机构，以及，沿所述预设传送路径依次设置的处理腔和清洗机构，其中，

7.所述处理腔内设有加热机构，所述加热机构用于调节所述处理腔内的温度，所述处理腔内还设有用于输入反应气体的进气口，所述反应气体至少包括含卤气体；

8.在所述加热机构将所述处理腔内的温度调节至第一预设温度的情况下，所述进气口可向所述处理腔通入所述反应气体，以使所述反应气体中的所述含卤气体与所述硅料中的金属杂质反应，所述清洗机构用于清洗反应后的所述硅料。

9.可选地，所述处理腔沿所述预设传送路径依次设有用于穿设所述运输机构的第一进口和第一出口；

10.所述处理腔还设有用于密封所述第一进口的第一闸门和用于密封所述第一出口的第二闸门。

11.可选地，所述清洗机构包括至少两个用于向所述硅料喷淋清洗液的喷淋机构，以及与所述喷淋机构对应设置的至少两个清洗槽；

12.所述至少两个喷淋机构沿所述预设传送路径依次设置，一个所述清洗槽对应设于一个所述喷淋机构的下方，所述清洗槽用于回收对应的所述喷淋机构向所述硅料喷淋的清洗液。

13.可选地，所述清洗液包括：乳酸、氢氟酸和硝酸中的至少一种。

14.可选地，所述处理装置还包括烘干机构，所述烘干机构设于所述预设传送路径上；

15.所述烘干机构连接于所述清洗机构远离所述处理腔的一侧，所述烘干机构用于烘干清洗后的所述硅料。

16.可选地，所述烘干机构包括：烘干箱和加热件，所述烘干箱连接于所述清洗机构远离所述处理腔的一侧，所述加热件设于所述烘干箱内，所述加热件用于调节所述烘干箱内的温度，在所述加热件将所述烘干箱内的温度调节至第二预设温度的情况下，所述烘干箱可用于烘干所述硅料。

17.可选地，所述烘干箱沿所述预设传送路径依次设有用于穿设所述运输机构的第二进口和第二出口；

18.所述烘干箱还设有用于密封所述第二进口的第三闸门和用于密封所述第二出口的第四闸门。

19.可选地，所述运输机构包括驱动件、传送件和用于放置所述硅料的承载盘；

20.所述驱动件与所述传送件连接，所述传送件与所述承载盘连接，所述驱动件用于驱动所述传送件沿所述预设传送路径运动，所述传送件的运动带动所述承载盘内的所述硅料沿所述预设传送路径运动。

21.可选地，所述承载盘的材质包括：石英、氧化铝、石墨、碳碳和碳化硅中的至少一种。

22.可选地，所述处理装置还包括透明视窗，所述处理腔的侧壁上设有通孔；

23.所述透明视窗嵌设于所述通孔内。

24.可选地，所述含卤气体包括：氯气、溴气、氟气、四氯化碳、氯化氢、氟利昂中的至少一种；

25.所述反应气体还包括惰性气体，所述惰性气体包括：氮气、氩气、氦气中的至少一种。

26.可选地，所述第一预设温度为700℃-1300℃。

27.第二方面，本发明实施例还公开了一种硅料的处理的方法，包括：

28.控制运输机构带动硅料沿预设传送路径进入处理腔；

29.采用加热机构将所述处理腔内的温度调节至第一预设温度；

30.通过进气口向所述处理腔内输入至少包括含卤气体的反应气体，以使所述含卤气体与所述硅料中的金属杂质反应；

31.控制所述运输机构带动所述硅料进入清洗机构；

32.采用所述清洗机构清洗反应后的所述硅料。

33.可选地，所述采用加热机构将所述处理腔内的温度调节至第一预设温度的步骤之前，包括：

34.通过进气口向所述处理腔输入惰性气体，以使用所述惰性气体置换所述处理腔内的空气。

35.可选地，所述通过进气口向所述处理腔内输入至少包括含卤气体的反应气体，以使所述含卤气体与所述硅料中的金属杂质反应的步骤，包括：

36.通过所述进气口向所述处理腔内输入所述至少包括含卤气体的反应气体；

37.在所述第一预设温度下，保持5-120分钟，以使所述含卤气体与所述硅料中的金属

杂质反应；

38.通过所述进气口向所述处理腔输入惰性气体，以冷却所述处理腔内的温度。

39.可选地，所述采用所述清洗机构清洗反应后的所述硅料的步骤之后，还包括：

40.控制所述运输机构带动所述硅料进入烘干机构；

41.采用所述烘干机构烘干清洗后的所述硅料。

42.本发明实施例包括以下优点：

43.在本发明实施例中，所述运输机构可以带动所述硅料沿所述预设传送路径运动，并依次经过所述传送路径上的所述处理腔和所述清洗机构。具体地，所述运输机构可以带动所述硅料先进入所述处理腔，所述加热装置先可以将所述处理腔内的温度调节至第一预设温度，然后可以通过所述进气口向所述处理腔通入所述反应气体，使得所述反应气体中的含卤气体可以与所述硅料中的金属杂质反应，使得金属杂质和所述硅料分离，以提高所述硅料的纯度。所述运输机构还可以带动所述硅料进入所述清洗机构，使得所述清洗机构可以清洗反应后的所述硅料，进一步去除所述硅料中的杂质，得到纯度较高的所述硅料。本发明实施例中，先采用反应气体去除所述硅料中的金属杂质，再使用清洗液进一步清洗所述硅料中的杂质，可以避免使用大量的化学试剂，节省所述处理的成本，降低环保压力；而且，可以充分去除所述硅料中的金属杂质，这样，由所述处理装置处理后的硅料，无需特殊处理、也无需改变垃制工艺条件，可以直接投炉使用，产出的硅棒的品质较高；本发明实施例中的所述处理装置还可以处理尺寸不同的硅料，通用性较好。

附图说明

44.图1是本发明的一种硅料的处理装置实施例的结构示意图；

45.图2是本发明的一种硅料的处理方法实施例的步骤流程图；

46.图3是本发明的另一种硅料的处理方法实施例的步骤流程图。

47.附图标记：

48.1-运输机构，11-驱动件，12-传送件，13-承载盘，2-处理腔，21-进气口，22-出气口，23-第一进口，24-第一出口，25-第一闸门，26-第二闸门，3-清洗机构，31-喷淋机构，32-清洗槽，4-加热机构，5-烘干机构，51-烘干箱，511-第二进口，512-第二出口，513-第三闸门，514-第四闸门，52-加热件，6-透明视窗，7-硅料。

具体实施方式

49.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

50.本发明实施例的核心构思之一在于，公开一种硅料的处理装置。

51.参照图1，示出了本发明的一种硅料的处理装置实施例的结构示意图，具体可以包括：用于带动硅料7沿预设传送路径运动的运输机构1，以及，沿预设传送路径依次设置的处理腔2和清洗机构3，其中，处理腔2内设有加热机构4，加热机构4用于调节处理腔2内的温度，处理腔2内还设有用于输入反应气体的进气口21，反应气体至少包括含卤气体；在加热机构4将处理腔2内的温度调节至第一预设温度的情况下，进气口21可向处理腔2通入反应气体，以使反应气体中的含卤气体与硅料7中的金属杂质反应，清洗机构3用于清洗反应后

的硅料7。

52.在本发明实施例中，运输机构1可以带动硅料7沿预设传送路径运动，并依次经过传送路径上的处理腔2和清洗机构3。具体地，运输机构1可以带动硅料7先进入处理腔2，加热装置可以将处理腔2内的温度调节至第一预设温度，然后可以通过进气口21向处理腔2通入反应气体，使得反应气体中的含卤气体可以与硅料7中的金属杂质反应，使得金属杂质和硅料7分离，以提高硅料7的纯度。运输机构1还可以带动硅料7进入清洗机构3，使得清洗机构3可以清洗反应后的硅料7，进一步去除硅料7中的杂质，得到纯度较高的硅料7。本发明实施例中，先采用反应气体去除硅料7中的金属杂质，再使用清洗液进一步清洗硅料7中杂质，可以避免使用大量的化学试剂，节省硅料7处理的成本，降低环保压力；而且，可以充分去除硅料7中的金属杂质，这样，由所述处理装置处理后的硅料7，无需特殊处理、也无需改变垃制工艺条件，可以直接投炉使用，产出的硅棒的品质较高，成晶率较高，转换效率较高；本发明实施例中的所述处理装置还可以处理尺寸不同的硅料7，通用性较好。

53.具体地，硅料7经过反应之后，硅料7表面容易残留金属化合物、有机杂质和无机杂质等，清洗机构3可以进一步去除硅料7表面残留的金属化合物、有机杂质和无机杂质等，得到纯度较高的硅料7。

54.本发明实施例中的硅料7可以是用于垃制生产硅棒的硅料，例如：在生产硅片或者硅棒的过程中回收的硅料等。本发明实施例中的硅料7的规格可以为大块料、小块料、小尺寸碎料、颗粒料等，使得本发明实施例中的处理装置可以适应较多种类的硅料7。

55.示例的，硅料7可以是原生颗粒料多晶硅或者重复使用的复拉料等，颗粒料多晶硅的平均粒径可以为0.5-4毫米。复拉料可以包括：边皮料、切片厚片料或者破碎小料等，边皮料的平均粒径可以为20-80毫米，切片厚片料的平均粒径可以为10-50毫米，破碎小料的平均粒径可以为3-8毫米。

56.具体地，处理腔2可以设有进气口21，可以通过进气口21向处理腔2内输入反应气体，在实际应用中，还可以通过进气口21向处理腔2内输入惰性气体。

57.具体地，处理腔2还可以设有出气口22，可以通过出气口22排出处理腔2内的空气，进而可以调节处理腔2内的压力和气体成分。例如，可以通过进气口21向处理腔2内输入惰性气体，并通过出气口22排出处理腔2内的空气，使得惰性气体可以置换处理腔2内的空气，避免空气干扰含卤气体与硅料7中的金属杂质的反应。

58.本发明实施例中运输机构1可以包括驱动结构和载重结构，驱动结构可以与载重结构连接，载重结构可以放置硅料7，这样，驱动结构驱动载重结构运动，载重结构的运动可以带动硅料7运动。

59.进一步地，驱动结构可以驱动载重结构上的硅料7沿预设传送路径运动，这样，可以持续处理硅料7，便于实现对大批量硅料7的处理，效率较高。

60.具体地，驱动结构可以驱动载重结构上的硅料7沿预设传送路径运动，处理腔2和清洗机构3沿预设传送路径依次设置，使得硅料7可以依次经过处理腔2和清洗机构3处理。预设传送路径可以根据实需求进行设置，本发明实施例对此不作具体限定。

61.具体地，所述驱动结构可以为电机或气缸等，所述载重结构可以包括传送件和用于放置所述硅料的承载盘，所述驱动结构可以通过所述传送件驱动所述承载盘运动，所述传送件可以为链式输送机、辊筒输送机或皮带输送机等，所述承载盘的材质可以包括：石

英、氧化铝、石墨、碳碳和碳化硅中的至少一种，本发明实施例对此不作具体限定。

62.本发明实施例中的处理腔2可以设有放置加热机构4和硅料7的空间，使得硅料7可以进入处理腔2内进行处理。

63.本发明实施例中的加热机构4为用于调节处理腔2内温度的设备，例如，加热机构4可以为电磁加热器、红外线加热器或电阻较热器等，本发明实施例对此不作具体限定。

64.具体地，在加热机构4将处理腔2内的温度加热至第一预设温度的情况下，含卤气体可以与硅料7中的金属杂质反应生成金属化合物，所述化合物的沸点较低，在第一预设温度下，所述金属化合物可以以气态的形式被气流带走。在实际应用中，含卤气体先与硅料7表层的金属杂质反应，使得硅料7表层的金属杂质的浓度降低，并与硅料7基体内部的金属杂质之间形成浓度差，而在预设温度下，金属杂质可以从高浓度区域持续往低浓度区域扩散，使得硅料7基体内的金属杂质可以从硅料7基体内部吸除至硅料7表层，并与含卤气体反应生成易挥发的金属化合物，金属杂质可以从硅料7中分离出去，进而可以提高硅料7的纯度。

65.进一步地，通过进气口21通入反应气体之后，可以保持5-120分钟，使得含卤气体可以与硅料7中的金属杂质充分反应，进而较为彻底地去除硅料7中的金属杂质。

66.具体地，金属杂质可以包括金属及其金属化合物。例如：金属钙、铝、铁、镁、钛等，及其对应的金属化合物。

67.具体地，运输机构1可以带动硅料7从处理腔2进入清洗机构3，清洗机构3可以对硅料7进行清洗处理，进一步去除硅料7中残留的杂质等，进一步提高硅料7的纯度。

68.具体地，反应气体至少包括含卤气体，含卤气体的浓度可以根据实际需求进行设置，本技术实施例对此不作具体限定。

69.可选地，含卤气体可以包括：氯气、溴气、氟气、四氯化碳、氯化氢、氟利昂中的至少一种。在实际应用中，氯气、溴气、氟气、四氯化碳、氯化氢、氟利昂等含卤气体在高温环境下，容易与硅料7中的金属杂质反应，而与硅的反应较慢，可以减少硅料7的损失。

70.在实际应用中，反应气体还可以包括惰性气体，在高温环境下，惰性气体不与硅料7反应，可以减少硅料7的损失。惰性气体可以包括：氮气、氩气、氦气中的至少一种。

71.具体地，含卤气体与惰性气体的比例可以为1:999至999:1之间的任意一个，通过调节含卤气体和惰性气体之间的比例可以调节含卤气体的浓度，具体可根据硅料7的实际处理量进行调整，本发明实施例对此不作具体限定。

72.可选地，第一预设温度可以为700℃-1300℃。在实际应用中，第一预设温度为700℃-1300℃的情况下，含卤气体可以与硅料7中的金属杂质反应生成化合物，而所述化合物在700℃-1300℃的环境下容易挥发，便于将所述化合物与硅料7分离，提高硅料7的纯度。

73.在本发明的另一个实施例中，处理腔2沿预设传送路径可以依次设有用于穿设运输机构1的第一进口23和第一出口24；处理腔2还可以设有用于密封第一进口23的第一闸门25和用于密封第一出口24的第二闸门26。

74.在本发明实施例中，由于处理腔2的第一进口23和第一出口24沿预设传送路径依次设置，运输机构1带动硅料7沿预设传送路径运动的过程中，可以从第一进口23进入处理腔2，从第一出口24离开处理腔2。在运输机构1带动硅料7进入处理腔2的情况下，可以使用第一闸门25密封第一进口23，第二闸门26密封第一出口24，实现对处理腔2的密封，可以避

免处理腔2内的热量散失，提高含卤气体和硅料7中的金属杂质反应的稳定性，较充分地去除硅料7中的金属杂质。

75.具体地，第一闸门25可以用于打开或密封第一进口23，第二闸门26可以用于打开或密封第一出口24。具体地，第一闸门25和第二闸门26可以采用电动控制或手动控制，本发明实施例对此不作具体限定。

76.本发明的又一个可选实施例中，清洗机构3可以包括至少两个用于向硅料7喷淋清洗液的喷淋机构31，以及与喷淋机构31对应设置的至少两个清洗槽32；至少两个喷淋机构31可以沿预设传送路径依次设置，一个清洗槽32可以对应设于一个喷淋机构31的下方，清洗槽32可以用于回收对应的喷淋机构31向硅料7喷淋的清洗液。

77.在本发明实施例中，至少两个喷淋机构31可以依次向进入清洗机构3的硅料7喷淋清洗液，以进一步去除硅料7表面残留的杂质，进一步提高硅料7的纯度。一个清洗槽32对应设于一个喷淋机构31的下方，可以回收对应的喷淋机构31向硅料7喷淋的清洗液，避免污染环境，降低环保压力。

78.具体地，运输机构1可以带动硅料7依次经过至少两个喷淋机构31，使得硅料7可以清洗至少两次，清洗的较为干净。

79.具体地，清洗机构3还可以包括至少两个用于存储清洗液的储液槽，出液槽可以和喷淋机构31对应设置，储液槽可以通过管路与对应的喷淋机构31连接，储液槽可以向对应的喷淋机构31提供清洗液。

80.可选地，清洗液可以包括：乳酸、氢氟酸和硝酸中的至少一种。在实际应用中，清洗液为乳酸、氢氟酸、硝酸的情况下，可以冲洗掉硅料7表面附着的有机杂质和无机杂质。

81.具体地，沿预设传送路径，可以依次设有第一喷淋机构和第二喷淋机构，第一喷淋机构可以向硅料7喷淋乳酸，第二喷淋机构可以向硅料7喷淋氢氟酸。

82.示例的，实施例1中，先使用含卤气体与硅料7中的金属杂质反应，再用乳酸、氢氟酸和硝酸等酸洗液清洗硅料7，以达到纯化硅料7的目的。

83.对比例1中，与实施例1相比，未使用含卤气体与硅料7中的气体杂质反应，直接用酸洗液清洗硅料7。如表1，示出了实施例1和对比例1中的酸洗液的用量对比。

84.具体地，以硅料7为复拉料为例，具体可以包括：边皮料、切片厚片料或者破碎小料等，边皮料的平均粒径可以为20-80毫米，切片厚片料的平均粒径可以为10-50毫米，破碎小料的平均粒径可以为3-8毫米。

85.由表1可以看出，对于同一种硅料7来说，采用本发明实施例中的方式，先使用含卤气体与硅料7中的金属反应，再使用酸洗液清洗硅料7，可以节约酸洗液的耗量。而且，均采用本发明实施例中的方式清洗硅料7时，粒径越大的复拉料，消耗的酸洗液越少。

86.表1:

[0087][0088]

在本发明的再一个可选实施例中，硅料处理装置还可以包括烘干机构5，烘干机构

5可以设于预设传送路径上；烘干机构5可以连接于清洗机构3远离处理腔2的一侧，烘干机构5用于烘干清洗后的硅料7。

[0089]

在本发明实施例中，烘干机构5可以对清洗后的硅料7进行烘干处理，以去除硅料7表面的水分。

[0090]

具体地，处理腔2、清洗机构3和烘干机构5可以沿预设传送路径依次设置，运输机构1可以带动硅料7依次经过处理腔2、清洗机构3和烘干机构5。

[0091]

具体地，烘干机构5可以采用微波、真空或热风等对硅料7进行烘干处理。

[0092]

可选地，烘干机构5可以包括：烘干箱51和加热件52，烘干箱51连接于清洗机构3远离处理腔2的一侧，加热件52设于烘干箱51内，加热件52用于调节烘干箱51内的温度，在加热件52将烘干箱51内的温度调节至第二预设温度的情况下，烘干箱51可用于烘干硅料7。

[0093]

在本发明实施例中，加热件52可以将烘干箱51内的温度调节至第二预设温度，以使硅料7可以在烘干箱51内进行烘干处理，通过加热的方式对硅料7进行烘干，较为简单方便。

[0094]

具体地，第二预设温度可根据实际需求进行设置，本发明实施例对此不作具体限定。

[0095]

具体地，烘干机构5还可以包括保温棉或者隔热棉，保温棉或隔热棉可以设于烘干箱51内，在硅料7进入烘干箱51的情况下，保温棉或隔热棉可以包裹在硅料7外，以避免用于烘干硅料7的热量散失，加快对硅料7的烘干速度。

[0096]

具体地，烘干机构5还可以包括抽风泵，抽风泵可以设于烘干箱51内，配合加热件52使用，加快对硅料7的烘干速度。

[0097]

可选地，烘干箱51沿预设传送路径依次设有用于穿设运输机构1的第二进口511和第二出口512；烘干箱51还设有用于密封第二进口511的第三闸门513和用于密封第二出口512的第四闸门514。

[0098]

在本发明实施例中，由于烘干箱51的第二进口511和第二出口512沿预设传送路径依次设置，运输机构1带动硅料7沿预设传送路径运动的过程中，可以从第二进口511进入烘干箱51，从第二出口512离开烘干箱51。在运输机构1带动硅料7进入烘干箱51的情况下，可以使用第三闸门513密封第二进口511，第四闸门514密封第二出口512，实现对烘干箱51的密封，可以避免烘干箱51内的热量散失，提高烘干箱51对硅料7的烘干效率。

[0099]

具体地，第三闸门513用于打开或密封第二进口511，第四闸门514用于打开或密封第二出口512。具体地，第三闸门513和第四闸门514可以采用电动控制或手动控制，本发明实施例对此不作具体限定。

[0100]

可选地，运输机构1可以包括驱动件11、传送件12和用于放置硅料7的承载盘13；驱动件11可与传送件12连接，传送件12可以与承载盘13连接，驱动件11可以用于驱动传送件12沿预设传送路径运动，传送件12的运动可以带动承载盘13内的硅料7沿预设传送路径运动。

[0101]

在本发明实施例中，通过传送件12带动承载盘13内的硅料7沿预设路径运动，使得硅料7依次进入沿预设传送路径设置的处理腔2和清洗机构3进行处理，可以得到纯度较高的硅料7，较为简单便捷。

[0102]

具体地，驱动件11可以为电机或气缸等，传送件12可以为链式输送机、辊筒输送机

或皮带输送机等，本发明实施例对此不作具体限定。

[0103]

可选地，承载盘13的材质可以包括：石英、氧化铝、石墨、碳碳和碳化硅中的至少一种。在实际应用中，承载盘13的材质为石英、氧化铝、石墨、碳碳或者碳化硅时，可以避免硅料7在烘干的过程中与承载盘13反应生成新的杂质。

[0104]

可选地，硅料7处理装置还可以包括透明视窗6，处理腔2的侧壁上可以设有通孔；透明视窗6可以嵌设于通孔内。

[0105]

在本发明实施例中，透明视窗6嵌设于处理腔2的侧壁上，可以通过透明视窗6观察处理腔2内的情况，便于了解硅料7的处理过程。

[0106]

在实际应用中，清洗机构3的侧壁上也可以对应设有透明视窗6，以便于观察硅料7的清洗过程。

[0107]

综上，本发明实施例所述的硅料的处理装置至少包括以下优点：

[0108]

在本发明实施例中，所述运输机构可以带动所述硅料沿所述预设传送路径运动，并依次经过所述传送路径上的所述处理腔和所述清洗机构。具体地，所述运输机构可以带动所述硅料先进入所述处理腔，所述加热装置先可以将所述处理腔内的温度调节至第一预设温度，然后可以通过所述进气口向所述处理腔通入所述反应气体，使得所述反应气体中的含卤气体可以与所述硅料中的金属杂质反应，使得金属杂质和所述硅料分离，以提高所述硅料的纯度。所述运输机构还可以带动所述硅料进入所述清洗机构，使得所述清洗机构可以清洗反应后的所述硅料，进一步去除所述硅料中的杂质，得到纯度较高的所述硅料。本发明实施例中，先采用反应气体去除所述硅料中的金属杂质，再使用清洗液进一步清洗所述硅料中的杂质，可以避免使用大量的化学试剂，节省所述硅料处理的成本，降低环保压力；而且，可以充分去除所述硅料中的金属杂质，这样，由所述处理装置处理后的硅料，无需特殊处理、也无需改变垃制工艺条件，可以直接投炉使用，产出的硅棒的品质较高；本发明实施例中的所述处理装置还可以处理尺寸不同的硅料，通用性较好。

[0109]

参照图2，示出了本发明的一种硅料的处理方法实施例的步骤流程图，具体可以包括如下步骤：

[0110]

步骤201：控制运输机构带动硅料沿预设传送路径进入处理腔。

[0111]

本发明实施例中，可以控制运输机构带动硅料沿预设传送路径运动，并进入设置在所述预设传送路径上的处理腔。

[0112]

具体地，所述运输机构用于带动所述硅料运动，所述运输机构的运动路径为所述预设传送路径，所述预设传送路径可根据实际需求进行设置。所述处理腔可以设有容纳所述硅料的空间。所述硅料的规格可以为大块料、小块料、小尺寸碎料、颗粒料等，本发明实施例对此不作具体限定。

[0113]

进一步地，所述运输机构可以沿所述预设路径尺寸运动，这样，可以持续带动所述硅料沿预设传送路径运动，便于实现对大批量硅料的处理，效率较高。

[0114]

在实际应用中，可以先使用第一闸门打开所述处理腔的第一进口，再控制所述运输机构带动所述硅料进入所述处理腔。

[0115]

具体地，所述运输机构可以包括驱动结构和用于放置所述硅料的载重结构；所述驱动结构可以与所述载重结构连接，所述驱动结构可以用于驱动所述载重结构沿所述预设传送路径运动，进而可以带动所述承载盘内的所述硅料沿所述预设传送路径运动。

[0116]

具体地，所述驱动结构可以为电机或气缸等，所述载重结构可以包括传送件和用于放置所述硅料的承载盘，所述驱动结构可以通过所述传送件驱动所述承载盘运动，所述传送件可以为链式输送机、辊筒输送机或皮带输送机等，所述承载盘的材质可以包括：石英、氧化铝、石墨、碳碳和碳化硅中的至少一种，本发明实施例对此不作具体限定。

[0117]

在实际应用中，可以先将硅料放入所述承载盘上，具体地，可以通过人工将所述硅料装到所述承载盘上，再控制所述驱动件驱动所述传送件沿所述预设传送路径运动，以使所述传送件可以带动所述承载盘上的所述硅料沿所述预设传送路径进入所述处理腔，便于处理大批量的所述硅料。

[0118]

步骤202：采用加热机构将所述处理腔内的温度调节至第一预设温度。

[0119]

本发明实施例中，可以采用加热机构将所述处理腔内的温度调节至第一预设温度，具体地，所述加热机构可以设于所述处理腔内。

[0120]

具体地，在采用加热机构调节所述处理腔内的温度之间，可以先使用第一闸门密封所述处理腔的第一进口，第二闸门密封所述处理腔的第一出口，进而密封所述处理腔，以加快所述加热机构将所述处理腔内的温度调节至所述第一预设温度的速度。

[0121]

具体地，所述第一预设温度可以为700℃-1300℃，使得所述含卤气体可以与所述硅料中的金属杂质反应生成化合物，所述化合物在700℃-1300℃的环境下容易挥发，便于将所述化合物与所述硅料分离。

[0122]

步骤203：通过进气口向所述处理腔内输入至少包括含卤气体的反应气体，以使所述含卤气体与所述硅料中的杂质反应。

[0123]

本发明实施例中，在所述处理腔内的温度达到所述第一预设温度时，可以通过进气口向所述处理腔内输入至少包括含卤气体的反应气体，使得所述含卤气体与所述硅料中的金属杂质反应。具体地，在所述第一预设温度下，所述含卤气体可以与所述硅料中的金属杂质生成化合物，所述化合物在所述第一预设温度下的沸点较低，容易挥发，可以实现将所述金属杂质从所述硅料中分离出去，提高所述硅料的纯度。

[0124]

具体地，所述含卤气体可以包括：氯气、溴气、氟气、四氯化碳、氯化氢、氟利昂中的至少一种。

[0125]

具体地，所述反应气体还可以包括惰性气体，在高温环境下，所述惰性气体不与硅料反应，可以减少硅料的损失。所述惰性气体可以包括：氮气、氩气、氦气中的至少一种。进一步地，所述含卤气体与所述惰性气体的比例可以为1:999至999:1之间的任意一个。

[0126]

步骤204：控制所述运输机构带动所述硅料进入清洗机构。

[0127]

本发明实施例中，可以控制所述运输机构带动所述硅料进入所述清洗机构，具体地，所述清洗机构和所述处理腔可以沿所述预设传送路径依次设置，所述运输机构可以带动所述硅料先进入所述处理腔，再进入所述清洗机构。

[0128]

在实际应用中，可以先使用第二闸门打开所述处理腔的第一出口，再控制所述运输机构带动所述硅料沿所述预设传送路径运动进入所述清洗机构。

[0129]

步骤205：采用所述清洗机构清洗反应后的所述硅料。

[0130]

本发明实施例中，可以采用所述清洗机构清洗反应后的所述硅料，具体地，所述清洗机构可以进一步地清洗所述硅料表面残留的杂质，进一步提高所述硅料的纯度。

[0131]

具体地，可以采用至少两个喷淋机构向所述硅料喷淋清洗液，所述至少两个喷淋

机构可以沿所述预设传送路径依次设置。所述清洗液可以包括：乳酸、氢氟酸和硝酸中的至少一种。

[0132]

综上，本发明实施例所述的硅料的处理方法至少包括以下优点：

[0133]

在本发明实施例中，所述运输机构可以带动所述硅料沿所述预设传送路径运动，并依次经过所述传送路径上的所述处理腔和所述清洗机构。具体地，所述运输机构可以带动所述硅料先进入所述处理腔，所述加热装置先可以将所述处理腔内的温度调节至第一预设温度，然后可以通过所述进气口向所述处理腔通入所述反应气体，使得所述反应气体中的含卤气体可以与所述硅料中的金属杂质反应，使得金属杂质和所述硅料分离，以提高所述硅料的纯度。所述运输机构还可以带动所述硅料进入所述清洗机构，使得所述清洗机构可以清洗反应后的所述硅料，进一步去除所述硅料中的杂质，得到纯度较高的所述硅料。本发明实施例中，先采用反应气体去除所述硅料中的金属杂质，再使用清洗液进一步清洗所述硅料中的杂质，可以避免使用大量的化学试剂，节省所述硅料处理的成本，降低环保压力；而且，可以充分去除所述硅料中的金属杂质，这样，由所述处理方法处理后的硅料，无需特殊处理、也无需改变垃制工艺条件，可以直接投炉使用，产出的硅棒的品质较高；本发明实施例中的所述处理装置还可以处理尺寸不同的硅料，通用性较好。

[0134]

参照图3，示出了本发明的另一种硅料的处理方法实施例的步骤流程图，具体可以包括以下步骤：

[0135]

步骤301：控制运输机构带动硅料沿预设传送路径进入处理腔。

[0136]

具体地，本步骤的具体实施过程可以参照步骤201执行即可，在此不做赘述。

[0137]

步骤302：通过进气口向所述处理腔输入惰性气体，以使用所述惰性气体置换所述处理腔内的空气。

[0138]

本发明实施例中，可以先通过进气口向所述处理腔输入惰性气体，以使用所述惰性气体置换所述处理腔内的空气，避免空气干扰对所述硅料的处理。

[0139]

具体地，可以先通过出气口对所述处理腔抽真空，然后再通过进气口向所述处理腔输入所述惰性气体，进而实现所述惰性气体对所述处理腔内空气的置换。

[0140]

具体地，在使用所述惰性气体置换所述处理腔内的空气之前，可以先使用所述第一闸门密封所述处理腔的第一进口，所述第二闸门密封所述处理腔的第一出口。

[0141]

步骤303：采用加热机构将所述处理腔内的温度调节至第一预设温度。

[0142]

具体地，本步骤的具体实施过程可以参照步骤202执行即可，在此不做赘述。

[0143]

步骤304：通过所述进气口向所述处理腔内输入所述至少包括含卤气体的反应气体。

[0144]

本发明实施例中，可以通过所述进气口向所述处理腔内输入所述至少包括含卤气体的反应气体，具体地，所述反应气体的输入量可根据实际需求进行调整。

[0145]

步骤305：在所述第一预设温度下，保持5-120分钟，以使所述含卤气体与所述硅料中的金属杂质反应。

[0146]

具体地，可以将所述处理腔内的温度维持在所述第一预设温度，并保持5-120分钟，使得所述含卤气体可以与所述硅料中的金属杂质充分反应，这样，得到的所述硅料的纯度较高。

[0147]

具体地，实施例2中，先采用含卤气体纯化颗粒料多晶硅，再使用酸洗液清洗颗粒

料多晶硅，以达到纯化颗粒料多晶硅的目的。对比例2中的颗粒料多晶硅，与实施例2相比，未采用含卤气体纯化，也未使用酸洗液清洗。其中，表金属含量为硅料表面金属杂质含量，体金属含量为硅料基体内的金属杂质含量，投炉后首根头部少子寿命可以体现由所述硅料垃制而成的硅棒的品质，投炉后首根头部少子寿命的值越大，对应的由所述硅料垃制而成的硅棒的品质越好。

[0148]

由表2可以看出，采用本发明实施例中的方式，先使用含卤气体与平均粒径为0.5-4毫米的颗粒料多晶硅中的金属杂质反应，再使用酸洗液清洗颗粒料多晶硅，可以较好的去除颗粒料多晶硅的表金属含量和体金属含量，而且还可以提高颗粒料多晶硅的投炉后首根头部少子寿命，采用该颗粒料多晶硅进行垃制硅棒，还可以提高硅棒的品质。

[0149]

表2：

[0150][0151]

边皮料为以直拉单晶棒加工方棒时，从圆柱体形的单晶棒中切出的截面大致为弓形的料，破碎成平均粒径为20-80mm的块状结构。实施例3中，先使用含卤气体纯化边皮料，再使用酸洗液清洗边皮料，可以达到纯化边皮料的目的。对比例3中的边皮料，与实施例3相比，未采用含卤气体纯化，也未使用酸洗液清洗。

[0152]

由表3可以看出，采用本发明实施例中的方式，先使用含卤气体与边皮料中的金属反应，再使用酸洗液清洗边皮料，可以较好的去除边皮料的表金属含量和体金属含量，而且还可以提高边皮料的投炉后首根头部少子寿命，采用该边皮料垃制硅棒，还可以提高硅棒的品质。

[0153]

表3：

[0154][0155][0156]

实施例4，先使用含卤气体纯化平均粒径为10-50毫米的切片厚片料，再使用酸洗液清洗切片厚片料，以达到纯化切片厚片料的目的。对比例4中的切片厚片料，与实施例4对

比，未采用含卤气体纯化，也未使用酸洗液清洗。

[0157]

由表4可以看出，采用本发明实施例中的方式，先使用含卤气体与切片厚片料中的金属反应，再使用酸洗液清洗切片厚片料，可以较好的去除切片厚片料的表金属含量和体金属含量，而且还可以提高切片厚片料的投炉后首根头部少子寿命，采用该切片厚片料进行垃制硅棒，还可以提高硅棒的品质。

[0158]

表4：

[0159][0160]

实施例5，先使用含卤气体纯化平均粒径为3-8毫米的破碎小料，再使用酸洗液清洗破碎小料，以达到纯化破碎小料的目的。对比例5中的破碎小料，与实施例5相比，未采用含卤气体纯化，也未使用酸洗液清洗。

[0161]

由表5可以看出，采用本发明实施例中的方式，先使用含卤气体与破碎小料中的金属反应，再使用酸洗液清洗破碎小料，可以较好的去除破碎小料的表金属含量和体金属含量，而且还可以提高破碎小料的投炉后首根头部少子寿命，采用该破碎小料进行垃制硅棒，还可以提高硅棒的品质。

[0162]

表5：

[0163][0164]

试验数据表明，在垃制硅棒之前，先用本发明实施例所述的方法让硅料与所述含卤气体反应，然后再使用酸洗液酸洗可以使得垃制的晶棒头部少子寿命得到提升。而且，对于不同粒径的硅料来说，采用含卤气体进行除杂处理的效果也不同。

[0165]

例如：硅料可以按照来源分为原生的第一硅料和重复使用的第二硅料。其中，所述第一硅料可以是平均粒径为0.5-4毫米的硅料，所述第一硅料可以是颗粒料多晶硅等，所述第一硅料与所述含卤气体充分反应，并使用酸洗液酸洗之后，表金属含量可以减少至5.1ppbwt，体金属含量可以减少至4.9ppbwt，投炉后首根头部少子寿命可以提升至745μs。

第二硅料可以是平均粒径为3-80毫米的硅料，所述第二硅料是平均粒径为20-80毫米的边皮料、平均粒径为10-50毫米的切片厚片料和平均粒径为3-8毫米的破碎小料等复拉料。边皮料与所述含卤气体充分反应，并使用酸洗液酸洗之后，表金属含量可以从310.1ppbwt减少至12ppbwt，体金属含量可以减少至11.5ppbwt，投炉后首根头部少子寿命可以提升至679μs。切片厚片料与所述含卤气体充分反应，并使用酸洗液酸洗之后，表金属含量可以从659ppbwt减少至16ppbwt，体金属含量可以减少至16.7ppbwt，投炉后首根头部少子寿命可以提升至603μs。破碎小料与所述含卤气体充分反应，并使用酸洗液酸洗之后，表金属含量可以从542ppbwt减少至8.5ppbwt，体金属含量可以减少至6.9ppbwt，投炉后首根头部少子寿命可以提升至705μs。

[0166]

上述试验数据表明，对于重复使用的硅料(例如第二硅料)，其含有的表金属杂质较多，将其与所述含卤气体反应之后，并使用酸洗液清洗，可以去除较多的表金属杂质，对其表金属杂质的除杂效果极为明显。

[0167]

采用本发明实施例中的硅料处理方法，均可以较好的去除其表金属杂质和体金属杂质，提高其投炉后首根头部少子寿命，而且用于垃制硅棒后，还可以提高晶棒的品质。

[0168]

进一步地，本发明实施例所述的硅料的处理方法可以适应各种尺寸的硅料，通用性较好。而且，采用本发明实施例中的处理方法，以先使用含卤气体去除一遍硅料中的金属杂质，再使用酸洗液清洗一遍硅料，对硅料进行纯化处理的效果。

[0169]

步骤306：通过所述进气口向所述处理腔输入惰性气体，以冷却所述处理腔内的温度。

[0170]

具体地，在所述含卤气体和所述硅料中的金属杂质充分反应之后，可以通过所述进气口向所述处理腔输入惰性气体，以冷却所述处理腔的温度。具体地，可以将所述处理腔内的温度冷却至200℃以下。

[0171]

步骤307：控制所述运输机构带动所述硅料进入所述清洗机构。

[0172]

具体地，本步骤的具体实施过程可以参照步骤204执行即可，在此不做赘述。

[0173]

步骤308：采用所述清洗机构清洗反应后的所述硅料。

[0174]

具体地，本步骤的具体实施过程可以参照步骤205执行即可，在此不做赘述。

[0175]

步骤309：控制所述运输机构带动所述硅料进入烘干机构。

[0176]

本发明实施例中，可以控制所述运输机构带动所述硅料进入所述烘干机构，具体地，所述烘干机构可以设于所述预设传送路径上，所述处理腔、所述清洗机构和所述烘干机构沿所述预设传送路径可以依次设置，所述运输机构可以带动所述硅料先进入所述清洗机构，再进入所述烘干机构。

[0177]

在实际应用中，可以采用第三阀门打开所述烘干机构的第二进口，再控制所述输机构带动所述硅料沿所述预设传送路径运动进入所述烘干机构。

[0178]

步骤310：采用所述烘干机构烘干清洗后的所述硅料。

[0179]

本发明实施例中，可以采用所述烘干机构烘干清洗后的所述硅料，具体地，所述烘干机构可以烘干所述硅料表面残留的水分。

[0180]

在实际应用中，所述烘干机构开始烘干清洗后的所述硅料之前，可以先使用第三阀门密封所述烘干机构的第二进口，所述第四闸门密封所述烘干机构的第二出口。

[0181]

综上，本发明实施例所述的硅料的处理方法至少包括以下优点：

[0182]

在本发明实施例中，所述运输机构可以带动所述硅料沿所述预设传送路径运动，并依次经过所述传送路径上的所述处理腔和所述清洗机构。具体地，所述运输机构可以带动所述硅料先进入所述处理腔，所述加热装置先可以将所述处理腔内的温度调节至第一预设温度，然后可以通过所述进气口向所述处理腔通入所述反应气体，使得所述反应气体中的含卤气体可以与所述硅料中的金属杂质反应，使得金属杂质和所述硅料分离，以提高所述硅料的纯度。所述运输机构还可以带动所述硅料进入所述清洗机构，使得所述清洗机构可以清洗反应后的所述硅料，进一步去除所述硅料中的杂质，得到纯度较高的所述硅料。本发明实施例中，先采用反应气体去除所述硅料中的金属杂质，再使用清洗液进一步清洗所述硅料中的杂质，可以避免使用大量的化学试剂，节省所述硅料处理的成本，降低环保压力；而且，可以充分去除所述硅料中的金属杂质，这样，由所述处理方法处理后的硅料，无需特殊处理、也无需改变垃制工艺条件，可以直接投炉使用，产出的硅棒的品质较高；本发明实施例中的所述处理装置还可以处理尺寸不同的硅料，通用性较好。

[0183]

需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。

[0184]

对于方法实施例而言，由于其与装置实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

[0185]

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

[0186]

尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

[0187]

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个

……”

限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

[0188]

以上对本发明所提供的一种硅料的处理装置和硅料的处理方法，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。技术特征：

1.一种硅料的处理装置，其特征在于，包括：用于带动硅料沿预设传送路径运动的运输机构，以及，沿所述预设传送路径依次设置的处理腔和清洗机构，其中，所述处理腔内设有加热机构，所述加热机构用于调节所述处理腔内的温度，所述处理腔内还设有用于输入反应气体的进气口，所述反应气体至少包括含卤气体；在所述加热机构将所述处理腔内的温度调节至第一预设温度的情况下，所述进气口可向所述处理腔通入所述反应气体，以使所述反应气体中的所述含卤气体与所述硅料中的金属杂质反应，所述清洗机构用于清洗反应后的所述硅料。2.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述处理腔沿所述预设传送路径依次设有用于穿设所述运输机构的第一进口和第一出口；所述处理腔还设有用于密封所述第一进口的第一闸门和用于密封所述第一出口的第二闸门。3.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述清洗机构包括至少两个用于向所述硅料喷淋清洗液的喷淋机构，以及与所述喷淋机构对应设置的至少两个清洗槽；所述至少两个喷淋机构沿所述预设传送路径依次设置，一个所述清洗槽对应设于一个所述喷淋机构的下方，所述清洗槽用于回收对应的所述喷淋机构向所述硅料喷淋的清洗液。4.根据权利要求3所述的处理装置，其特征在于，所述清洗液包括：乳酸、氢氟酸和硝酸中的至少一种。5.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述处理装置还包括烘干机构，所述烘干机构设于所述预设传送路径上；所述烘干机构连接于所述清洗机构远离所述处理腔的一侧，所述烘干机构用于烘干清洗后的所述硅料。6.根据权利要求5所述的处理装置，其特征在于，所述烘干机构包括：烘干箱和加热件，所述烘干箱连接于所述清洗机构远离所述处理腔的一侧，所述加热件设于所述烘干箱内，所述加热件用于调节所述烘干箱内的温度，在所述加热件将所述烘干箱内的温度调节至第二预设温度的情况下，所述烘干箱可用于烘干所述硅料。7.根据权利要求6所述的处理装置，其特征在于，所述烘干箱沿所述预设传送路径依次设有用于穿设所述运输机构的第二进口和第二出口；所述烘干箱还设有用于密封所述第二进口的第三闸门和用于密封所述第二出口的第四闸门。8.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述运输机构包括驱动件、传送件和用于放置所述硅料的承载盘；所述驱动件与所述传送件连接，所述传送件与所述承载盘连接，所述驱动件用于驱动所述传送件沿所述预设传送路径运动，所述传送件的运动带动所述承载盘内的所述硅料沿所述预设传送路径运动。9.根据权利要求8所述的处理装置，其特征在于，所述承载盘的材质包括：石英、氧化铝、石墨、碳碳和碳化硅中的至少一种。10.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述处理装置还包括透明视窗，所述处理腔的侧壁上设有通孔；

所述透明视窗嵌设于所述通孔内。11.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述含卤气体包括：氯气、溴气、氟气、四氯化碳、氯化氢、氟利昂中的至少一种；所述反应气体还包括惰性气体，所述惰性气体包括：氮气、氩气、氦气中的至少一种。12.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述第一预设温度为700℃-1300℃。13.一种硅料的处理方法，其特征在于，包括：控制运输机构带动硅料沿预设传送路径进入处理腔；采用加热机构将所述处理腔内的温度调节至第一预设温度；通过进气口向所述处理腔内输入至少包括含卤气体的反应气体，以使所述含卤气体与所述硅料中的金属杂质反应；控制所述运输机构带动所述硅料进入清洗机构；采用所述清洗机构清洗反应后的所述硅料。14.根据权利要求13所述的处理的方法，其特征在于，所述采用加热机构将所述处理腔内的温度调节至第一预设温度的步骤之前，包括：通过进气口向所述处理腔输入惰性气体，以使用所述惰性气体置换所述处理腔内的空气。15.根据权利要求13所述的处理的方法，其特征在于，所述通过进气口向所述处理腔内输入至少包括含卤气体的反应气体，以使所述含卤气体与所述硅料中的金属杂质反应的步骤，包括：通过所述进气口向所述处理腔内输入所述至少包括含卤气体的反应气体；在所述第一预设温度下，保持5-120分钟，以使所述含卤气体与所述硅料中的金属杂质反应；通过所述进气口向所述处理腔输入惰性气体，以冷却所述处理腔内的温度。16.根据权利要求13所述的处理的方法，其特征在于，所述采用所述清洗机构清洗反应后的所述硅料的步骤之后，还包括：控制所述运输机构带动所述硅料进入烘干机构；采用所述烘干机构烘干清洗后的所述硅料。

技术总结

本发明实施例提供了一种硅料的处理装置和硅料的处理方法，硅料的处理装置包括：用于带动硅料沿预设传送路径运动的运输机构，以及，沿预设传送路径依次设置的处理腔和清洗机构，其中，处理腔内设有加热机构，加热机构用于调节处理腔内的温度，处理腔内还设有用于输入反应气体的进气口，反应气体至少包括含卤气体；在加热机构将处理腔内的温度调节至第一预设温度的情况下，进气口可向处理腔通入反应气体，以使反应气体中的含卤气体与硅料中的金属杂质反应，清洗机构用于清洗反应后的硅料。本发明实施例中，可以避免使用大量的化学试剂，节省硅料处理的成本，降低环保压力，且处理装置可处理尺寸不同的硅料。置可处理尺寸不同的硅料。置可处理尺寸不同的硅料。

技术研发人员：邓浩 韩伟 董升 李侨

受保护的技术使用者：隆基绿能科技股份有限公司

技术研发日：2021.12.31

技术公布日：2022/3/22