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脉冲激光分子束外延系统

脉冲激光分子束外延系统

浏览量 708
规格/型号:暂无
品牌:科睿设备
应用领域:加工设备
产地:上海 - 上海
厂家/供应商:科睿设备有限公司
咨询电话::13916855175(请说明信息源自“北方有色网”)
更新时间:2025-06-15
级别:待认证

脉冲激光分子束外延系统说明介绍

脉冲激光分子束外延系统

脉冲激光分子束外延系统


(PLD MBE)

PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统(PLD MBE)凭借其优异性能,在国内外拥有众多用户,广泛应用于薄膜外延制备。作为美国主要制造商,PVD专注于设计和制造超高真空薄膜沉积系统,涵盖分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积等领域。其产品主要面向小型研发系统,适用于多种材料的外延生长,如半导体材料、ZnO、GaN、SiGe、金属/氧化物、磁性薄膜、超导薄膜、氧化物和陶瓷材料等。系统配置包括主腔室、样品传输腔、1100度加热系统、样品旋转、PLD靶材操控器及光路、K-cell热蒸发源、电子束蒸发源和射频RF离子源等,可满足多种薄膜制备需求。

凭借着优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内外拥有较多用户,为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。

PVD公司是美国主要制造商,是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延(PLD MBE)和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司,提供超高真空薄膜沉积系统,应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统,其应用主要包括:

用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长;

UHV磁控溅射磁性薄膜;

脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。

仪器主要配置:

主腔室,样品传输腔,1100度加热系统,样品旋转,PLD靶材操控器及光路,K-cell热蒸发源,电子束蒸发源,射频RF离子源。

应用主要包括:

分子束外延系统(MBE);

GaAs、InP和GaSb外延;

HgCdTe外延;

GaN、InN和AlN外延;

Ⅱ-Ⅵ族外延;

SiGe外延;

Si/金属/氧化物外延;

超高真空物理气相沉积(PVD)系统;

磁控溅射系统;

脉冲激光沉积(PLD)系统;

电子束蒸发系统;

离子束沉积系统;

热蒸发系统。

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