1.本发明涉及锂离子电池正极材料技术领域,具体涉及一种制备羟基氧化钴的方法。
背景技术:
2.钴酸锂正极材料是制作锂电池的关键性材料之一,而羟基氧化钴则是生产钴酸锂正极材料的重要上游材料。随着智能设备的快速发展,羟基氧化钴的需求量也在日益扩大。
3.目前,在工业生产羟基氧化钴过程中主要分为两种氧化方法,第一种是在反应过程中加入氧化剂或者通入氧化性气体,第二种是先制备氢氧化钴,再用氧化剂氧化得到羟基氧化钴。相对于第二种方法,第一种方法制备出来的羟基氧化钴形貌均匀,一致性好。然而,采用第一种方法制备羟基氧化钴时容易产生细粉,导致产品粒度分布太宽,影响最终正极材料的电化学性能。此外,在通入氧化性气体时,由于气液混合不均匀,导致反应釜内氧化不均匀,进而影响产品一致性。
4.有鉴于此,如何设计一种能够连续制备出具有较窄粒度分布、一致性好的羟基氧化钴产品的方法及装置便成为本发明所要研究的课题。
技术实现要素:
5.本发明的目的是提供一种制备羟基氧化钴的方法。
6.为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种制备羟基氧化钴的方法,包括如下步骤:步骤一、配制摩尔浓度为1.5~2.5mol/l的钴盐溶液;配制摩尔浓度为8~16mol/l的氢氧化钠或氢氧化钾溶液作为沉淀剂;配制摩尔浓度为0.1~0.7mol/l的氨水溶液作为络合剂;步骤二、向一封闭的反应釜中加入所述沉淀剂、纯水和所述络合剂配成底液;控制所述底液的ph值为10.20~11.60,氨浓度为0.01~0.25mol/l,并将底液的温度维持在60~80℃;步骤三、保持反应釜搅拌开启,将步骤一中的所述钴盐溶液与一氧化性气体通过混合后以10~60 l/min的流速持续加入到所述反应釜中进行共沉淀反应;将步骤一中的所述沉淀剂以及所述络合剂分别以3~30l/min的流速持续加入到所述反应釜中进行共沉淀反应;反应过程中的ph值保持在10.20~11.60,反应温度维持在60~80℃,合成釜的转速为80~200r/min;步骤四、将经过步骤三获得的共沉淀产物经过压滤、洗涤、干燥得到羟基氧化钴。
7.上述技术方案中的有关内容解释如下:1.上述方案中,在所述步骤三中,所述氧化性气体包括氧气、空气、臭氧、氯气中的一种。
8.2.上述方案中,在所述步骤三中,混合时,所述氧化性气体的流量为20~80l/min。
9.3.上述方案
声明:
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我是此专利(论文)的发明人(作者)