一种异质结电池的tco薄膜及其制作方法
技术领域
1.本技术属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种异质结电池的tco薄膜及其制作方法。
背景技术：
2.相关技术中的异质结太阳电池通常使用氧化铟锡(ito)材料作为透明导电薄膜窗口层。具体地，选用特定锡含量的ito靶材作为原材料，预抽真空到一定背底气压后传入衬底，保持衬底与靶材间距，保持特定温度，通入氩气调节腔体气压到特定区间，在特定功率密度下沉积特定厚度的ito薄膜。
3.然而如此，紫外光区产生禁带的励起吸收，故ito薄膜的紫外光区光穿透率极低，并且，近红外区由于载流子的等离子体振动现象而产生反射，故ito薄膜近红外区的光透过率也很低。由此产生的光学寄生吸收导致硅异质结太阳电池的光利用率下降，损失短路电流。
4.基于此，如何设计异质结电池的tco薄膜来替代ito薄膜以提高紫外波段和近红外波段的光透过率，成为了亟待解决的问题。
技术实现要素：
5.本技术提供一种异质结电池的tco薄膜及其制作方法，旨在解决如何设计异质结电池的tco薄膜来替代ito薄膜以提高紫外波段和近红外波段的光透过率的问题。
6.第一方面，本技术提供的异质结电池的tco薄膜的制作方法，溅射系统中的靶材为(in
1-x
ga
x
)
2-y
zryo3靶材，x的范围为[0.00，0.28]，y的范围为[0.01，0.18]。
[0007]
可选地，x为0.14，y为0.1。
[0008]
可选地，待溅射生长薄膜的衬底的温度为25℃-240℃。
[0009]
可选地，所述待溅射生长薄膜的衬底的温度为120℃-160℃。
[0010]
可选地，工艺气体为含2％-8％体积分数的氢气的氩气；或，工艺气体为含体积分数小于或等于5％的氧气的氩气。
[0011]
可选地，抽真空后腔室内的本底真空度为0.8
×
10-4
pa-1.2
×
10-4
pa；和/或，通入工艺气体后，腔室内的气压的范围为3pa-10pa；和/或，利用射频电源启辉后，腔室内的工作气压为0.5pa-5pa。
[0012]
可选地，利用射频电源启辉后，溅射功率密度为3.6w/cm
2-12w/cm2。
[0013]
可选地，待溅射生长薄膜的衬底到所述靶材的距离为4cm-12cm。
[0014]
第二方面，本技术提供的异质结
声明：
“异质结电池的TCO薄膜及其制作方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 天津爱旭太阳能科技有限公司 广东爱旭科技有限公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
