本发明涉及破碎装置技术领域，尤其涉及一种硅块破碎装置及使用方法、硅块破碎方法及应用方法。
背景技术：
电子级多晶硅是集成电路产业的基础原材料，一般采用改良西门子法进行生产，在还原炉中利用化学气相沉积产出多晶硅棒，然后对其进行破碎、筛分及清洗，从而得到尺寸不一的多晶硅块，以便于下游半导体硅片厂家投炉进行单晶拉制。
传统的破碎方式一般采用钨合金锤进行人工破碎，或使用辊式破碎机等进行机械破碎，但是前者为人工操作，容易在操作过程中引入人工污染，后者则会导致硅块与机械设备过多接触，硅块表面受到大量金属污染；上述两种情况均会导致硅块表面污染，从而影响下游单晶产品质量。
技术实现要素：
本发明提供了一种硅块破碎装置，可有效解决背景技术中的问题，同时本发明中还请求保护硅块破碎装置的使用方法，以及，一种硅块破碎方法及应用方法，具有同样的技术效果。
为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案是：
一种硅块破碎装置，包括：
容器，提供待破碎硅棒的容纳空间，且在所述容纳空间内执行破碎动作；
两脉冲电极，在所述容纳空间内悬挂设置，且悬挂高度及两所述脉冲电极在水平面内的位置均可调节；
所述容器内设置有高纯水，用于对所述硅棒与外界环境进行隔离，所述脉冲电极在所述高纯水内产生脉冲电弧，所述高纯水的电阻率为ρ，单位为mω.cm，其中，16mω.cm≤ρ≤20mω.cm。
一种如上所述的硅块破碎装置的使用方法，包括以下步骤：
对两所述脉冲电极与所述硅棒的相对位置进行调节；
确定电源的脉冲电压及脉冲频率；
供电执行破碎操作。
进一步地，所述脉冲电极与所述硅棒的相对位置调节的模型如下：
其中，
s为两所述脉冲电极间的水平间距以mm为单位时的数值；
l为硅棒的长度以mm为单位时的数值，1500≤l≤3000；
a为破碎后的硅块目标粒径以mm为单位时，取值范围的中位数；
x为所述脉冲电极与所述硅棒的垂直距离以mm为单位时的数值；
d为硅棒直径以mm为单位时的数值。
进一步地，所述脉冲电压的调节模型如下：
其中，
a为破碎后的硅块目标粒径以mm为单位时，取值范围的中位数；
u为脉冲电压以kv为单位时的数值。
进一步地，所述脉冲频率的调节模型如下：
f为脉冲频率以hz为单位时的数值。
一种硅块破碎方法，通过两脉冲电极形成脉冲电弧，所述脉冲电弧进入被高纯水浸没的
声明：
“硅块破碎装置及使用方法、硅块破碎方法及应用方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
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2025年06月13日 ~ 15日 
