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1.本发明涉及六方形氮化硼(hexagonal boron nitride,h
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bn)/石墨烯异质结三维多孔碳材料及其制备方法和电催化用途。
背景技术：
2.h
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bn与石墨烯具有高度结构相似性及差异巨大的电化学性质。例如，h
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bn具有宽带隙结构，不具有导电性；而石墨烯具有零带隙结构，具有高导电性。h
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bn与石墨烯的相似性及差异性，使h
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bn成为很好的掺杂剂，用以改性石墨烯的电化学性质，使石墨烯表现出新的电化学性能，特别是电催化性能。传统的h
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bn/石墨烯平面异质结是典型的二维结构，其制备方法主要通过复杂的化学气象沉积法(chemical vapor deposition,cvd)完成，材料的产量及且异质结含量均较低，这限制了异质结在电催化等领域的研究及应用。所以，有必要探究新的方法实现丰富异质结的构建并探究异质结对石墨烯的改性及应用。
3.目前对于二维h
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bn/石墨烯平面异质结构建的专利已有报到，例如发明人公开的专利(专利申请号：2017111130962)中，公开了一种h
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bn/石墨烯平面异质结的制备方法，首先在铜箔表面以预制图案的掩膜沉积纳米级厚度的镍层；其次将获得的铜箔基底置于管式炉中，通过化学气相沉积方法不间断、依次地沉积石墨烯与h
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bn；最后控制冷却速度，使管式炉降温至室温。该发明在化学气相沉积法生长的基础上，利用石墨烯在铜与铜镍合金表面生长机理的不同，在特定生长条件下，石墨烯仅在铜表面生长，h
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bn在未覆盖石墨烯的合金表面生长，从而只利用一次化学气相沉积步骤制备出带有预制图案的h
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bn/石墨烯平面异质结。该类方法的制备过程往往需要预制图案等复杂步骤，其异质结的含量及产量均较低，所以该法制备的异质结往往只能用在构建微电子器件，探究异质结基本物理性能。
4.目前，对于h
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bn/石墨烯平面异质结的文献已有很多，主要是二维异质结通过cvd法进行构建。另外，也有文献报道通过
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nh2修饰石墨烯量子点为掺杂前驱，通过与h
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bn的生长前驱进行混合，后通过高温处理使h
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bn在石墨烯量子点边缘进行生长，从而构建h
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bn/石墨烯平面异质结。该方法由于没有金属催化剂的存在，异质结的含量及质量较低。
5.目前，也有文献报道h
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bn
声明：
“六方形氮化硼/石墨烯平面异质结三维多孔碳材料及其制备方法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：南京林业大学
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2025年05月09日 ~ 11日 
