1.本技术涉及芯片测试技术领域，具体而言，涉及一种芯片的筛片方法、装置及筛片设备。
背景技术：
2.随着芯片面临的功耗问题越来越严重，芯片功耗过大是芯片量产良率损失的主要原因之一。不同的晶片和不同的批次之间，因为掺杂、刻蚀、温度等外界因素导致mosfets参数的变化范围比较大，为减轻设计困难度，需要将器件性能限制在某个范围内，并报废超出这个范围的芯片，一般芯片量产过程中筛片主要从两方面限制功耗，其中一个是常温静态电流的上限，另一个是片上集成的监测process快慢的osc振荡电路环。仅仅基于这两项测试，会有部分芯片在功耗边界值附近有高温反转现象，即部分在功耗限制范围内的芯片高温功耗异常，具体表现为芯片工作时结温超过预设的值或厂家规定的芯片结温的上限，部分在功耗限制范围外的芯片高温表现反而正常。如果为了不让功耗限制范围内出现高温反转现象的芯片进入市场，势必要继续降低功耗限制，这样对量产芯片的良率的损失是巨大的。
3.因此，亟需一种新的芯片筛片方法来解决芯片量产筛片过程中功耗限制低导致芯片良率低的问题。
技术实现要素：
4.本技术的主要目的在于提供一种芯片的筛片方法、装置及筛片设备，以解决现有技术中筛片方法的功耗限制低导致芯片良率低的问题。
5.根据本发明实施例的一个方面，提供了一种芯片的筛片方法，所述筛片方法包括：对多个样品芯片进行板级测试，所述板级测试的环境温度为极限温度，将满足第一预定条件的所述样品芯片确定为第一目标芯片，获取多个所述第一目标芯片的静态电流值和振荡频率值，并确定静态电流阈值和振荡频率阈值，所述极限温度为所述样品芯片的应用场景的最高环境温度，所述第一预定条件为测试芯片正常工作且结温值在第一预定范围内；对所述第一目标芯片进行ft测试，将满足第二预定条件的所述第一目标芯片确定为第二目标芯片，所述第二预定条件为测试芯片在预定时间内的结温温升值在第二预定范围内；对所述第二目标芯片进行板级测试，所述板级测试的环境温度为极限温度，将满足所述第一预定条件和所述第二预定条件的所述第二目标芯片确定为第三目标芯片，获取所述第三目标芯片在所述ft测试中的结温温升值，确定结温温升阈值；根据所述静态电流阈值、所述振荡频率阈值和所述结温温升阈值对待测试芯片进行筛片，所述待测试芯片与所述样品芯片为相同型号的芯片。
6.可选地，在对所述第一目标芯片进行ft测试，将满足
声明：
“芯片的筛片方法、装置及筛片设备与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：山东岱微电子有限公司
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2025年05月16日 ~ 18日 
