一种用于高方阻topcon电池p+面的银铝浆及其制备方法
技术领域
1.本发明涉及电池电极浆料领域，具体涉及一种用于高方阻topcon电池p+面的银铝浆及其制备方法。
背景技术：
2.隧穿氧化层钝化接触太阳能电池(topcon)是一种使用超薄氧化层作为钝化层结构的电池。topcon电池以n型硅基板为主，通过一层超薄的氧化层和一层掺杂硅薄层在电池硅基板的背面形成钝化结构；topcon电池正面钝化接触的机理是：在电池片的烧结过程中，浆料中的玻璃体先软化，腐蚀电池正面最外层沉积的氮化硅和氧化铝，玻璃体的软化点越低，活性越大，对氮化硅和氧化铝的腐蚀性就越高，所形成的接触也越好；腐蚀掉氮化硅和氧化铝层以后，银铝浆中的铝和银与露出来的硅基底反应，形成银铝硅刺，此时铝颗粒越大，活性越大，铝颗粒的软化点越低，流动性越好，所形成的银铝刺也越大，而银铝硅刺越大，虽可形成较好的接触，但造成的金属复合也越大；由此可见，若单纯选用较低软化点的玻璃体和大颗粒的铝粉降低电池的接触电阻率，会形成较大的铝刺，对金属复合造成很大的影响；因此，为了形成较低的金属复合和良好的接触，需要形成小而密集的银铝刺。
3.目前的topcon电池正面受到所使用浆料的影响，掺杂浓度均≥1019，方阻为80-120ω；普通的银铝浆在超过120ω方阻的topcon电池的p+面上无法实现良好的接触，接触电阻率一般＞5mω.cm2，使电池的串联电阻rs相对较高；topcon电池正面接触的掺杂浓度越低，方阻越大，接触就越难；但是掺杂浓度低也会使电池正面金属复合变小，对电池的开压有增益，因此高方阻低掺杂的topcon电池会成为未来topcon电池的主流结构。
技术实现要素：
4.本发明的目的在于克服上述现有技术的不足而提供一种在高方阻topcon电池的p+面上有良好的接触效果，且具有较低复合的银铝浆及其制备方法。
5.为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种用于高方阻topcon电池p+面的银铝浆，包含以下重量百分比的组分：银粉70-89％、纳米银线1-5％、铝粉1-10％、铝合金0.5-1％、玻璃粉1-8％、有机载体1-10％；所述玻璃粉中包含氧化银，所述铝合金为铝锌合金和铝硼合金中的至少一种。
6.本发明选用纳米银线搭配银粉作为银铝浆的组分，纳米银线除了具有优良的导电性之外，还因为其纳米级别的尺寸效应而具
声明：
“用于高方阻TOPcon电池P+面的银铝浆及其制备方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：无锡市儒兴科技开发有限公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
