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具有黄铜矿结构的Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体及其制备工艺

831   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:28:51
本发明涉及热电材料领域,是一种具有黄铜矿结构的Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的部分Cu元素等摩尔替换为Sb元素,所述Sb元素在所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的摩尔分数为0~0.025,Cu元素在所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的摩尔分数为0.225~0.25。所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体的化学式为Cu1-xGaSbxTe2,其中0≤x≤0.1。本发明采用常规的粉末冶金法制备,工艺简单;采用金属元素Sb等摩尔替换Cu-Ga-Sb-Te四元热电合金中Cu元素,成本较低;材料具有环保特性,无噪音,适合作为一种绿色能源材料使用。
声明:
“具有黄铜矿结构的Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体及其制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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