该发明公开了一种通过填充Ga替换Sb提高CoSb
3基方钴矿材料热电性能的方法,属于热电材料领域及其制备邻域。本发明的目的在于提供一种通过填充镓单质(Ga)、碲单质(Te)替换部分锑单质(Sb)形成填充替换方钴矿来提高CoSb
3基方钴矿材料热电性能的方法。该热电材料可通过改变单质镓(Ga)的含量和碲单质(Te)替换锑单质(Sb)的量来调节赛贝克系数、电导率和热导率等参数来提升CoSb
3基方钴矿材料的热电性能,且制备工艺简单,适合大规模生产。
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“通过填充Ga、Te替换Sb提高基方钴矿材料热电性能的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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