本发明属于太阳能电池领域，具体涉及一种光伏电池基板及其制备方法。
背景技术：
太阳能电池板需要自有一定的机械强度，抗震耐机械冲击耐热冲击，直接形成硅片的基板材料是关键，基板材料必须满足化学性质稳定，抗震等一系列物理及物性的苛刻要求。
传统工艺中的光伏组件采用的背板材质为tpt、tpe和pet/聚烯烃，将硅片通过封装胶膜(eva)固定到背板上，传统工艺存在以下问题：硅片不可能低于150um，否则制作硅片过程中破碎率将大幅度上升，电池成品率将大幅降低。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种光伏电池基板，可直接在该基板上形成极薄的硅片。
本发明为实现上述目的所采用的技术方案如下：
一种光伏电池基板，包括：
主体层，所述主体层为硅基材料；
三氧化二铝层，所述三氧化二铝层覆于主体层的表面；
以及若干贯穿所述主体层和三氧化二铝层的孔。
优选地，所述硅基材料选自氮化硅、碳化硅和二氧化硅中的至少一种；
优选地，所述硅基材料为碳化硅和二氧化硅的质量比为50:1～1:50的组合物。
优选地，所述光伏电池基板的厚度为0.1～15mm。
优选地，所述三氧化二铝层的厚度为1～10微米。
优选地，所述孔的方向与光伏电池基板的法线基本平行。
优选地，所述三氧化二铝层的(100)晶向与基板的法线基本平行。
优选地，所述三氧化二铝层掺有硅。
更优选地，所述三氧化二铝层中硅的掺入量为0.5～5wt％。
上述光伏电池基板的制备方法，包括；
(1)将硅基材料混合预成型，然后涂覆三氧化二铝；
(2)压铸，烧结；
(3)激光开孔，得到所述的光伏电池基板。
优选地，步骤(2)中，压铸的温度为800～1400℃，压力为500～12000kg/cm2。
优选地，步骤(2)中，烧结的温度为1400～2000℃，时间为5～240min。
上述的光伏电池基板的制备方法，包括；
(1)将硅基材料混合预成型，然后涂覆三氧化二铝；
(2)采用带孔铸模压铸成型；
(3)烧结，得到所述的光伏电池基板。
优选地，压铸成型的温度为800～1400℃，压力为500～12000kg/cm2。
优选地，烧结的温度为1400～2000℃，时间为5～240min。
本发明的基板可短时间内耐1500℃的高温，在-50～100℃的温度范围与硅材料有近似的热胀冷缩系数，液态硅在其表面具
声明：
“光伏电池基板及其制备方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：宜兴市昱元能源装备技术开发有限公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
