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管式PECVD特气炉的制作方法

790   编辑:中冶有色网   来源:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司  
2023-09-20 16:31:03
本实用新型涉及太阳能电池制造的技术领域,尤其涉及一种管式PECVD特气炉。 背景技术: 常规的化石燃料日益消耗殆尽,在现有的可持续能源中,太阳能是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池,可以将太阳能直接转换成电能,其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。 电池片在生产过程中,需要在硅片的表面镀上一层减反射膜。目前,采用等离子体增强化学气相沉积方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),使气体在硅电池片表面发生化学反应并形成覆盖层,即减反射膜。此减反射膜的主要作用是:降低反射率、良好的体钝化和表面钝化,以及利用氮化硅薄膜的强致密性和耐多数酸碱性,在硅片表面形成保护层。电池片的PECVD工序一般通过PECVD机完成,PECVD机在石英管的两端通微波源,表面抽真空的条件下将氨气和硅烷分解成高能离子状态,经过一系列化学反应转变成氮化硅气体,在硅片表面沉积氮化硅固态薄膜,同时分解出来的氢离子,将硅片表面原有缺陷钝化。 目前沉积氮化硅固态薄膜的设备主要有两种,板式PECVD设备和管式PECVD特气炉。如图1所示,管式PECVD特气炉的石英炉管1′内设置有石墨舟,石墨舟包括用于承载硅片的若干石墨舟片2′,硅片处于封闭的石英炉管1′中,与板式PECVD设备镀膜相比,硅片不需要流动前进镀膜,可以在表面有更好的钝化作用,电池效率更高,同时,管式PECVD特气炉主要对石墨舟进行维护,维护简单,对生产的影响更小。但是,如图1所示,现有的管式PECVD特气炉只在管尾4′设有进气口42′,氮化硅气体从进气口42′进入后,需要一定时间才能在石英炉管1′内充分扩散均匀,而实际工艺过程中,还要求气体浓度随时间变化以便生产出不同折射率的减反射膜层。为了控制总工艺时间,确保量产的需要,实际生成过程中并不能等硅烷和氨气在石英炉管1′内充分扩散均匀后再开始沉积,导致石英炉管1′内均匀性不高。此外,石英炉管1′内的气压是通过炉尾4′的排气口41′的开度控制的,排气口41′离进气口42′非常近,排气也会影响气体在管内的均匀性。硅烷和氨气的不均匀分布导致管式PECVD特气炉的成膜均匀性较差,从而导致管式PECVD特气炉处理的硅片有较高的返工率。 技术实现要素: 本实用新型的目的在于提出一种喷气均匀
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“管式PECVD特气炉的制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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