本发明属于二维材料制备技术领域，具体涉及一种双层ws2/mos2横向异质结材料、制备方法及应用。
背景技术：
过渡金属硫族化合物(tmds)在工业生产、科学研究等方面有着重要作用。mos2和ws2是两种二维层状半导体过渡金属硫化物材料，层与层之间通过范德华力结合在一起，其带隙可根据层数的减小由间接带隙转变为直接带隙，且具有良好的柔性特点。横向生长的ws2/mos2异质结与单一的材料相比，在晶体管的光响应特性、开关响应速度以及气敏特性上都具有显著提高，因此通过对ws2/mos2横向异质结的生长进行调控，在以上应用上均具有重大意义。
目前，广大科研工作者利用水热法、各种改进cvd法进行ws2/mos2横向异质结的制备。但这些方法普遍存在制备条件苛刻，制备的异质结薄膜面积小；同时难以对层数进行控制，对其研究主要集中在单层材料上。已有研究证明，与单层tmds异质结薄膜相比，少数层ws2/mos2横向异质结薄膜材料的态密度更大，在场效应的应用中产生多个导通通道，能够产生相当大的驱动电流。
为此，发明人经过潜心研究，提出一种制备双层ws2/mos2横向异质结材料的方法，获得了双层ws2/mos2横向异质结材料。
技术实现要素：
针对现有技术存在的不足和缺陷，本发明提供了一种双层ws2/mos2横向异质结材料、制备方法及应用，解决现有的制备方法所需条件较为苛刻且对ws2/mos2横向异质结生长层数的难以调控的问题。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案予以实现：
一种双层ws2/mos2横向异质结材料的制备方法，包括：将wo3粉、moo3粉和nacl固体颗粒混合研磨得到氧化物前驱体混合物，将氧化物前驱体混合物放置在石英管炉膛内800～810℃的温度区间，将衬底放置在氧化物前驱体混合物的正上方，衬底的氧化面朝下，将硫粉放置在石英管炉膛内140～160℃的温度区间，在保护气氛、压强为-0.1～-0.05mpa下反应8～10min，在衬底上沉积双层ws2/mos2横向异质结材料；
硫粉、wo3粉、moo3粉和nacl的质量比为8000：100：100：1。
优选的，以10～15℃/min的升温速度升温至800～810℃。
优选的，所述的保护气氛为氩气，氩气的气体流速为80～100sccm。
优选的，使用双氧水与浓硫酸按体积比1：3配置而成的混合液对衬底进行清
声明：
“双层WS2/MoS2横向异质结材料、制备方法及应用与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
533
编辑：中冶有色网
来源：西北大学
分享 0
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
2025年06月06日 ~ 08日 
