本发明涉及光伏电池生产设备技术领域，尤其涉及一种氧化铝沉积设备及供气方法。
背景技术：
氧化铝镀膜技术广泛应用于晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池等新能源领域，现有的氧化铝镀膜技术主要有ald(原子层沉积)法、cvd(化学气相沉积)法和溶胶凝胶等湿化学方法等，其中，cvd法应用广泛，cvd法是指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。
在等离子体沉积氧化铝膜的工艺中，需要用氩气携带三甲基铝(tma)进入到反应仓中与n2o进行反应。传统氧化铝沉积设备的气路设计如图1所示，液体三甲基铝通过第一气动阀6进入液体蒸发器控制系统3中，氩气通过第二气动阀7进入液体蒸发器控制系统3中，从而携带三甲基铝进入反应仓5中进行反应，但在实际操作过程中，往往会存在因氩气的纯度不足而发生堵塞液体蒸发器控制系统3的现象，考虑到携带三甲基铝所需的氩气量比较小，因此，目前大多做法是通过降低氩气的流量，来减小液体蒸发器控制系统3的堵塞概率。
但是在反应仓中，氧化铝的生成涉及以下反应方程式：
2al(ch3)3+5ar+20n2o→al2o3+2co2+4co+9h2o+20n2+5ar
由上述反应方程式可以看出，虽然氩气为用于携带三甲基铝的气体，不参与反应，但是，当有氩气的存在时会消耗更多的n2o，从而促进三甲基铝的完全反应。如果单纯依靠降低氩气流量来降低堵塞概率，则在后续氧化铝的反应过程中会因氩气含量不足而无法使三甲基铝充分反应，影响镀膜品质及生产产能。
技术实现要素：
本发明的目的之一在于克服现有技术中所述的缺陷，从而提供一种氧化铝沉积设备，该氧化铝沉积设备不仅可以有效降低的堵塞概率，而且还能提升镀膜片的品质和生产产能，同时提升自动化上下料设备的开机速率。
本发明的基础方案为：
一种氧化铝沉积设备，包括三甲基铝储液仓、氩气源、以及依次连通的液体蒸发器控制系统、混气管和反应仓；
所述三甲基铝储液仓具有送液管，所述送液管与所述液体蒸发器控制系统连通；所述氩气源具有并联设置的第一送气管和第二送气管；所述第一送气管与所述液体蒸发器控制系统连通；所述第二送气管与所述混气管连通，以向所述混气管中补入氩气，形成通入所述反应仓中的工艺气体。
本发明中所说的液体蒸发控制系统是一个可以被应用于大气或者真空工业加工过程中的
声明：
“氧化铝沉积设备及供气方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：晶澳太阳能有限公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
