1.本发明属于碳基材料技术领域，特别涉及一种二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法。
背景技术：
2.二次电子发射也称为电子倍增效应，二次电子的发射过程主要包括三部分：
①
初始电子进入材料内部并激发内二次电子，
②
被激发的内二次电子向表面运动，
③
运动到表面的内二次电子克服表面势垒并出射成为真二次电子。
3.近年来，虽然我国在通信、航天领域和卫星大功率部件的设计方面取得明显地进步，但是电子倍增效应仍然是制约微波部件功率容量提升的一项瓶颈，也是影响高功率微波部件稳定性的重要原因。微放电效应的发生会容易造成严重后果甚至使部件性能失效，可见抑制电子倍增效应迫在眉睫。
4.实现sey调控的工艺方法可以概括为两大类：表面镀层法和表面粗糙化法。表面镀层法的sey调控表面镀膜技术是目前抑制空间大功率微波部件微放电效应最有效的方法之一。通过在微波部件表面镀上一层具有低sey、稳定物理和化学特性的薄膜材料，如金属材料铂(pt)、铜(cu)可以有效抑制电子倍增效应，但这容易增大微波部件插损。
5.石墨烯是一种零带隙半导体材料，其拥有特殊的导带和价带结构，在室温条件下石墨烯的电子迁移率高达2.5
×
105cm2/vs，并且它的电阻率也小，约为10-6ωcm。在薄膜用于抑制空间微波器件sey的应用体系中，不管是对其已有薄膜物理性质的研究，还是新兴薄膜的提出，总需要有对薄膜材料进行掺杂改性。现有的掺杂改性方法会引入其他杂质，但是杂质的引入也增加了缺陷形成的概率，降低了纯度。而石墨烯作为新一代的二维半导体材料，探究改性后其电子性能的变化为其在空间微波器件等领域应用具有重要意义。现有的镀碳基薄膜与基地的粘附性较差。
技术实现要素：
6.本发明的目的在于提供一种二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法，以解决上述问题。
7.为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
8.一种二硫化钼/石墨烯复合异质结，包括基底1、二硫化钼层2和石墨烯层3；二硫化钼层2设置在基底1上，石墨烯层设置在二硫化钼层2上。
9.进一步的，基底1为硅基片。
10.进一步的，二硫化钼层2的厚度为10nm，沉积的石墨烯层3的厚度为15nm。
11.进一步的，一种二硫化钼/石墨烯复合异质结的制备方法，包括以下步骤：
12.步骤1：对基底进行预处理；
13.步骤2：对预处理后的基底表面
声明：
“二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：西安空间无线电技术研究所
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2025年06月20日 ~ 22日 
