本发明公开了一种模块内并联器件峰值
芯片温度的无损测试方法,该方法通过构建特定测试电流下的基于电流占比的温度‑导通压降曲线簇,实现对并联器件或模块的峰值结温测量。获得校温电流‑温度‑导通压降三维数据库,根据测试电流与并联器件数量,利用电流转换公式,得到特定测试电流下的基于电流占比的温度‑导通压降曲线簇;利用曲线簇和测量得到器件工作状态测试小电流对应的导通压降,得出不同测试电流下的电流占比‑温度曲线;最后,根据不同测试电流下电流占比‑温度曲线交点,确定并联器件或模块的峰值结温和电流占比。利用该方法,可在成熟小电流压降法的基础上,无需增加额外设备,即可实现模块内并联器件峰值芯片温度的无损测量。
声明:
“多芯片并联封装模块内芯片峰值结温的无损测试方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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