一种发光二极管外延片的检测方法,属
检测仪器领域。本发明是在发光二极管外延片的表面安置正负两个电极,将一个高压恒流源接在正负两极,使发光二极管外延片中的p型层、n型层组成的反向二极管被击穿。使整个电路导通,引发发光二极管外延片的发光层发光,从而达到检测的目的。这种测量方法直接、无损、便捷,相对于光致荧光而言还可以得到正向导通电压、反向漏电流等对于LED外延片而言非常重要的电学参数。
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