本发明提出了一种无砷化制造发光器件
芯片的方法,包括如下步骤:生长衬底依次外延生长预置转换层、外延层N区、有源区和外延层P区;利用腐蚀液腐蚀预置转换层,通过机械牵引的方式整体分离外延层N区、有源区和外延层P区;将整体分离后获得的外延层N区经过表面处理步骤之后,通过第二键合介质结合功能衬底;经过光刻、蒸镀和剥离,或经过蒸镀、光刻和刻蚀分别在外延层N区和外延层P区形成N面电极和P面电极。本发明的生长衬底的As不会带入发光器件制备的后续工艺流程,降低工业废水的污染治理成本,同时生长衬底可以重复利用,降低生产成本,使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。
声明:
“无砷化制造发光器件芯片的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)