本发明提出了一种发光器件
芯片及其制造方法,其中一种发光器件芯片包括:自下而上依次为透明衬底、外延层N区、N面电极、有源区、外延层P区和P面电极,所述透明衬底通过第二键合介质与所述外延层N层结合,所述透明衬底通过生长衬底的转换方式形成。本发明的生长衬底的As不会带入发光器件制备的后续工艺流程,降低工业废水的污染治理成本;透明衬底对光没有吸收性,能够降低发光损耗,增加发光器件芯片的整体出光效率;同时生长衬底可以重复利用,降低生产成本,使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。
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