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紫外LED芯片

773   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 00:52:34
本实用新型涉及一种紫外LED芯片，包括依次设置的P型氮化镓层、量子井层、N型氮化镓层、透明衬底层以及透明过渡层；所述透明过渡层的数量为至少两层，所有透明过渡层的折射率均在1‑1.76之间，且所述透明过渡层的折射率往远离所述透明衬底层的折射率逐渐减小；其中，所述透明过渡层为二氧化硅、氟化钡、氟化钙、氟化镁或氟化锂中的一种。本实用新型提供的紫外LED芯片，通过所述透明过渡层的设置，减小了所述透明衬底层与空气之间的折射率阶梯，使得折射率缓慢过渡，减小全反射，提高出光效率。
声明：
“紫外LED芯片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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