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光电芯片及其混合集成方法

593   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:32:07
一种光电芯片及其混合集成方法,所述的光电芯片包括由下至上依次设置的硅衬底,射频芯片,二氧化硅层,BCB层,硅锗层,铌酸锂波导层及金属电极层,金属通孔走线贯穿于自射频芯片到金属电极。本发明实现了光电芯片的一体化,减少了链路损耗和串扰电平,将信号劣化到最小;同时利用二氧化硅与LN的频率温度系数相反的特性,有效的实现了温度补偿效应,提高了系统的稳定性。该系统的电极结构采用DC直电极与射频叉指电极配合的结构,有效的降低了射频反射损耗。此外,该芯片架构可采用成熟的半导体工艺技术实现,这对于光电系统走向小体积、低功耗、实用化具有重要意义。
声明:
“光电芯片及其混合集成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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