本发明公开一种具有高应力层深度的强化微晶玻璃及其制备方法,通过将微晶玻璃在盐浴中进行单次或多次次化学离子交换形成所述强化微晶玻璃,所述强化微晶玻璃相对两侧分别自表面向内部依次形成压应力层和与所述压应力层相对应的张应力层,所述强化微晶玻璃的单面压应力层深度为所述强化微晶玻璃总厚度的18%~25%。本发明强化微晶玻璃的高结晶度提高了其本征网络结构强度,使微晶玻璃可容纳更高的压应力,且高温下应力松弛量少;采用含锂盐浴可提高微晶玻璃的交换深度,进而显著提高压应力层深度;强化微晶玻璃的应力层深度占玻璃总厚的18%以上,具有很高的抗跌落强度;应用领域广泛。
声明:
“具有高压应力层深度的强化微晶玻璃及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)