本发明属于
纳米材料制造领域,特别涉及一种原位常温制备垂直阵列结构二硫化锡的方法。包括以下步骤:将普通层状二硫化锡经过超声分散至半碳膜上,并在透射电镜中用剐蹭锂金属的钨针尖去触碰二硫化锡并施加电压;会聚电子束对样品进行辐照得到垂直阵列结构的二硫化锡。该方法无需使用高温,无需其他有毒有害化学试剂,既简化了工艺又降低了生产成本。
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