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暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法

1034   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:30:32
本发明公开了一种暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法,采用简单的回流法,制备成暴露高能(001)晶面小尺寸六方相CdS超薄纳米片,CdS纳米片对角线尺寸为5~50nm、厚度为0.59~10nm。本发明操作简单,成本低,重复性好,所制备的暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片有望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
声明:
“暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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