本发明提供了一种磷酸三镓晶体的助熔剂生长法。该方法是将磷酸二氢铵、氧化镓、
碳酸锂、氧化钼按1∶2.44∶(1.96~4.41)∶(11.45~25.77)重量比称量,混和均匀后放入铂金坩埚,在生长炉中加热熔融,再冷却至熔液饱和点温度之上10~20℃,得到Ga3PO7与助熔剂的混和熔体;将籽晶引入生长炉,在温度降至饱和点以上1~2℃时,下入籽晶,同时以30转/每分钟的旋转速率旋转,待籽晶开始熔化后,降温生长,生长结束后,从熔液中提出晶体,以20~30℃/小时的降温速率降至200℃后,自然冷却至室温即得厘米级尺寸的Ga3PO7晶体。本发明设备简单、生长速度快、容易操作,可以获得大尺寸的光学质量好的Ga3PO7单晶。
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