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磷酸三镓晶体的助熔剂生长法

1111   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:29:13
本发明提供了一种磷酸三镓晶体的助熔剂生长法。该方法是将磷酸二氢铵、氧化镓、碳酸锂、氧化钼按1∶2.44∶(1.96~4.41)∶(11.45~25.77)重量比称量,混和均匀后放入铂金坩埚,在生长炉中加热熔融,再冷却至熔液饱和点温度之上10~20℃,得到Ga3PO7与助熔剂的混和熔体;将籽晶引入生长炉,在温度降至饱和点以上1~2℃时,下入籽晶,同时以30转/每分钟的旋转速率旋转,待籽晶开始熔化后,降温生长,生长结束后,从熔液中提出晶体,以20~30℃/小时的降温速率降至200℃后,自然冷却至室温即得厘米级尺寸的Ga3PO7晶体。本发明设备简单、生长速度快、容易操作,可以获得大尺寸的光学质量好的Ga3PO7单晶。
声明:
“磷酸三镓晶体的助熔剂生长法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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