本发明属于功能化高分子材料技术领域,为了解决现有技术中的HIPS树脂抗冲击强度较低的问题,提供一类星形嵌段共聚物(SIBR‑BR)n‑C的超高抗冲击强度HIPS树脂,HIPS树脂是苯乙烯/(SIBR‑BR)n‑C共聚物树脂,其中:SIBR为丁二烯、异戊二烯、苯乙烯共聚物嵌段,BR为丁二烯均聚物嵌段,C为多官能度烷基锂引发剂残基,n大于等于3;以丁二烯、异戊二烯、苯乙烯共聚物SIBR嵌段质量为100%计,SIBR嵌段中丁二烯含量为5‑85%;丁二烯、异戊二烯、苯乙烯共聚物SIBR嵌段与聚丁二烯BR嵌段R质量比为1:9‑9:1;以所述HIPS树脂质量为100%计,(SIBR‑BR)n‑C含量为3%‑35%(重量百分比),HIPS树脂数均分子量范围为5×104‑80×104g/mol。
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“一类星形嵌段共聚物(SIBR-BR)n-C的超高抗冲击强度HIPS树脂及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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