本发明属于先进
纳米材料技术领域,具体为一种负载钯单原子或钯纳米颗粒的限域碳材料及其制备方法。本发明方法包括利用氧化
石墨烯(GO)的Zeta电位为负的特性,在其表面吸附端口电位为正的超分子化合物—瓜环。瓜环是一种特殊的超分子腔体(CB),其紧密包覆在GO表面后经高温煅烧,CB形成具有特殊孔径的N掺杂不定型碳,并且牢牢吸附在石墨烯片层上;同时GO经高温煅烧后会含氧基团会断裂,形成导电性良好的rGO。二者之间会形成限域界面,并在低温条件下成功负载钯纳米颗粒及钯单原子。本发明制备的材料应用在
电化学催化、有机催化、生物传感器、超级电容器、锂离子电池等领域,均表现出了良好的性能。
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“负载钯单原子或钯纳米颗粒的限域碳材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)