本发明的一个方式提供一种即使反复充放电晶体结构也不容易崩塌的正极活性物质。提供一种充放电容量大的正极活性物质。该正极活性物质包含锂、钴、镍、镁及氧,正极活性物质的最表面层的a轴的晶格常数大于内部的a轴的晶格常数,最表面层的c轴的晶格常数大于内部的c轴的晶格常数。优选的是,最表面层的a轴的晶格常数与内部的a轴的晶格常数的变化率大于0且为0.12以下,最表面层的c轴的晶格常数与内部的c轴的晶格常数的变化率大于0且为0.18以下。
声明:
“正极活性物质、二次电池、电子设备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)