本发明提供了一种晶体管,包括衬底,堆叠于所述衬底上的二维半导体层,设置于所述二维半导体层两侧的源电极和漏电极,堆叠于所述二维半导体层上的栅控介质层,堆叠于所述栅控介质层上石墨炔层,位于所述石墨炔层上方的栅电极,填充于所述栅电极与所述石墨炔层之间的电解质层。石墨炔层能够在栅控脉冲撤去后,阻止锂离子的自发扩散回电解液,提高了数据保持能力与栅控能力。栅控介质层能阻止二硒化钨和石墨炔之间的电荷流动,增强电荷保持能力,从而增强存储可靠性,同时降低漏电流,减小功耗。本发明还提供了一种上述晶体管的制造方法。
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